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本文利用乙酸乙烯脂单体(VAc)，首次在60Co为辐射源的γ射线辐照条件下生成管状聚乙酸乙烯脂(PVAc)聚合物，以该聚合物为模板制备了CdS半导体纳米棒。对其在组成、形貌、光学性能等方面进行了相应的表征，在改变实验条件的情况下分析了不同实验条件，如：反应物浓度、辐照剂量、模板剂用量以及不同模板剂对其晶型、形貌、光学性能方面的影响。最后探讨了CdS纳米棒在纳米材料领域的前沿动态及其相关应用。主要研究内容如下：
第一章绪论中综述了纳米材料基本概念和分类，详述了纳米材料的结构，性质及其在物理、化学方面的特性，介绍了纳米材料在生物、医学、军事等方面的应用以及近年来几种纳米材料的模板法制备技术，阐述了γ射线辐照法制备纳米材料的基本原理，展望了纳米硫属金属化合物的发展方向和应用前景，简要介绍了本论文的选题背景及主要的研究内容。
第二章采用硫代乙酰胺为硫源，硫酸镉为镉源，在改变反应物浓度、γ射线辐照剂量、VAc模板剂用量的条件下，得到多组CdS纳米棒，并利用X-射线粉末衍射(XRD)，透射电子显微镜(TEM)，原子力显微镜(AFM)，红外光谱(IR)紫外光谱(UV-vis)和荧光光谱(PL)对产物的组成、形貌、以及光学性能等性质进行了一系列的表征，分析了实验参数对产物的影响，同时探讨了γ射线辐照条件下利用PVAc软模板制备CdS纳米棒的机理。结果表明在一定范围内CdS纳米棒的生长受模板剂用量与反应物浓度影响最大。
第三章采用硫代乙酰胺为硫源，硫酸镉为镉源，应用不同的模板剂：十六烷基三甲基溴化胺(CTAB)、乙二胺四乙酸(EDTA)，在γ射线辐照条件下制备CdS纳米棒。利用X-射线粉末衍射(XRD)，透射电子显微镜(TEM)，原子力显微镜(AFM)，紫外光谱(UV-vis)和荧光光谱(PL)对产物的组成、形貌、以及光学性能等性质进行了一系列的表征。并将结果与PVAc软模板制备CdS纳米棒进行分析对比，探讨了两种模板剂制备CdS纳米棒的机理。实验表明采用不同的模板剂所得CdS纳米棒的晶型与形貌均发生较大变化。
第四章在结论与研究展望中对本论文的工作做了总结，并明确了下一步的研究方向。