【摘 要】
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钙钛矿锰氧化物是典型的强关联体,具有庞磁电阻,金属—绝缘转变等奇特的物理现象。与n型半导体构成的p-n异质结,不仅具有传统半导体的整流特性,还展现出了受温度,外加磁场调
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钙钛矿锰氧化物是典型的强关联体,具有庞磁电阻,金属—绝缘转变等奇特的物理现象。与n型半导体构成的p-n异质结,不仅具有传统半导体的整流特性,还展现出了受温度,外加磁场调控的输运性质,被认为是替代传统半导体的理想材料。巨大的应用前景和科研价值使人们争相研究这类材料。然而,受锰氧化物本生性质的限制,锰氧化物p-n异质结中电子迁移率低,使其响应速度慢,难以作为电子元器件。提高锰氧化物p-n结中电子的遂穿效应,能有效改善这个问题。本文研究了电荷有序和缓冲层对锰氧化物中的遂穿电流的影响。具体内容如下:(1)使用传统的固相烧结法制备了靶材,利用脉冲激光沉积技术沉积出了高质量的锰氧化物异质结。(2)对样品进行了X射线衍射,分析了衍射图谱,表明样品外延生长。(3)研究了电荷有序对Pr0.6Ca0.4MnO3/1 wt%Nb SrTiO3的输运性质的影响,发现电荷有序有利于电子的遂穿效应。(4)研究了纳米缓冲层LaAlO3对La0.67Ca0.33MnO3/LaAlO3/0.05-wt%Nb SrTiO3中遂穿电流的影响,发现LaAlO3使耗尽层变薄,电子遂穿几率增大。
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