在MEMS制造领域,光刻工艺是其中举足轻重的一环。在器件尺寸逐渐减小的当下,光刻工艺的复杂性大大增加,在实验室或者生产线上进行各种实验无疑是需要大量时间和费用的,这使得光刻工艺仿真成为一种越来越有用的方法。利用光刻仿真不仅能够准确地预测在不同参数下得到的工艺结果,也可以帮助科学家以及工程师更加深入了解光刻的内在原理从而发现新的技术。在具体的工艺中,曝光可以分为接触式、接近式和投影式三种方式。本课题组已有针对接触式和接近式光刻的研究,但是对于投影式光刻的仿真模型还处于未知状态。同时目前大多IC的光刻仿真研究都只着眼于光刻胶表面的图像仿真,不适合MEMS中高深宽比结构的仿真。本文针对厚胶的投影式光刻进行研究,充分考虑了光的衍射效应、掩模版图形、光学材料特性以及光波的矢量特性等全部信息,严格基于麦克斯韦电磁场理论以及矢量成像进行推导,首次提出了一种新颖的二维以及三维的投影式光刻光强分布模型。并与后续的模块相结合,得到了一个能够精确仿真完整光刻过程的计算机仿真软件。文中给出了具体的理论推导以及算法流程,还详细地阐述了在建模过程中激励源、振幅相位提取、算法边界条件以及投影物镜与其他区域之间的连接等问题的处理方法。本文结合具体的光刻工艺,以SU-8胶为例,给出了光强等高线分布图以及最终显影后的形貌,同时考虑了垂直入射、倾斜入射、曝光角度、焦平面位置等因素对光刻胶内部光强分布的影响。根据图表,将仿真结果与实验结果进行比较分析,验证了本算法的正确性,对未来的深入研究以及软件的商业化具有一定的参考意义。