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当复合材料中各组分尺寸减小到纳米级时,能够大幅度提高材料的性能(如机械性能、导电性能等),因此,近年来纳米复合材料备受关注。目前,纳米复相陶瓷最合适的制备路线之一是聚合物先驱体转换陶瓷(PDC)法,此法可对纳米复相陶瓷的化学组成、相组成甚至是微结构进行调控以及设计。本文基于聚合物先驱体转换陶瓷法,在烯丙基超支化聚碳硅烷(AHPCS)中通过化学反应同时引入硼元素以及过渡金属对其进行改性,并对最终陶瓷的高温稳定性以及吸波性能进行了探究。本文对单源先驱体的制备、聚合物-陶瓷转换以及纳米复相陶瓷结晶、微结构、高温稳定性以及吸波性能进行了详细的探讨。主要的研究内容及结果如下:1、以AHPCS、吡啶硼烷(PB)以及钛酸四丁酯(TBT)为原料,通过“一釜法”反应制备出一系列不同Ti、B含量的ATP先驱体并经PDC法制得TiB2-TiC-SiC纳米复相陶瓷。研究表明:纳米复相陶瓷结构均匀,但由于氧含量较高致其高温退火热失重较大。值得一提的是,陶瓷表现出了一定的吸波潜力,其最低反射损耗系数达到-39dB,但有效带宽较窄。2、本章以AHPCS为SiC先驱体,三乙胺硼烷(TEAB)为硼源,二氯二茂锆(Cp2ZrC12)为锆源,通过单源聚合物先驱体路径制得ZrC-ZrB2-SiC纳米复相陶瓷。研究表明:所制备的ABZ先驱体有较高的陶瓷产率,其1000℃陶瓷产率高达85wt%ZrC-ZrB2-SiC纳米复相陶瓷结构均匀,表现出较好的高温稳定性,1800℃退火2h后质量损失仅7.7wt%。陶瓷吸波性能仍然不佳。3、以AHPCS、二乙烯基苯(DVB)、PB、TBT为原料进行“一釜法”反应制得一系列不同DVB量改性的先驱体ATPD,并经PDC法制成富碳TiB2-TiC-SiC-C纳米复相陶瓷。研究表明:DVB的引入一定程度减少了陶瓷的热失重。微结构表明,纳米复相陶瓷结构均匀,有序纳米碳相均匀大量地分布在陶瓷中,可能在陶瓷中构建了导电网络结构。DVB的引入很好地提高了陶瓷的吸波性能,体系最宽有效吸波频段达到4.54GHz,最小反射损耗系数达到-55dB。