壳聚糖修饰掺硼金刚石薄膜电极测定铜离子

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掺硼金刚石(BDD)薄膜作为一种新型半导体薄膜材料具有广泛的应用前景。本实验着重研究了BDD薄膜电极测定铜离子的电化学行为并建立了一种较为灵敏的利用壳聚糖修饰BDD薄膜电极检测磷酸氢根的新方法。作为新一代的半导体功能薄膜材料,BDD薄膜电极不仅具有优良的耐蚀性而且拥有低背景电流、宽电化学窗口、高电化学稳定性以及强抗电极表面玷污能力。选择适当的修饰材料与BDD电极相匹配,能够大幅提高检测离子的灵敏度及选择性。实验中通过热丝化学气相沉积(HFCVD)的方法,以钽(Ta)为衬底,三氧化二硼(Be2
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