Dy3+,Eu3+共掺杂单基质白光荧光粉的制备及其性能的研究

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白光发光二极管(WLED)是一种新型固态半导体发光器件,是新一代的照明光源,因此白光荧光粉的制备与研发成为研究的一大热点。由于Dy3+4F9/26H15/2跃迁能发射出波长470-490 nm的蓝光,4F9/26H13/2跃迁发射出波长570-580 nm的黄光,Eu3+5D07F2跃迁能发射出波长610-620 nm的红光,这三种光混合即可获得具有蓝、黄、红三色成分的白光。所以Dy3+,Eu3+共掺杂单基质白光荧光粉具有巨大的研发潜质。但是要想得到优质白光,必须增强发射光谱中蓝光的成分。本研究采用沉淀法制备了KGd F4:Dy3+,Eu3+单基质白光荧光粉,KGd F4:Dy3+,Eu3+@GQDs单基质白光荧光粉;采用水热法制备了Gd-MOFs:Dy3+单基质白绿光荧光粉;采用沉淀法制备Gd-MOFs:Dy3+@Gd-MOFs:Eu3+荧光粉;采用高温固相法合成了荧光粉与玻璃的复合材料。利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、荧光光谱以及荧光寿命和热分解对样品进行了分析,本文的研究成果如下:1.根据材料发射光谱图分析结果表明,KGd F4:Dy3+,Eu3+、KGd F4:Dy3+,Eu3+@GQDs以及Gd-MOFs:Dy3+@Gd-MOFs:Eu3+都成功实现了优质白光发射,通过调节Eu3+的掺杂比例能够实现自然白光、暖白光、橙红光的发射,材料的色温值控制在6000 K以下。2.石墨烯碳量子点(GQDs)包覆KGd F4:Dy3+,Eu3+能够有效增强材料发光强度,同时通过对KGd F4:Dy3+,Eu3+@GQDs的热猝灭研究发现,随着温度的升高出现正猝灭和负猝灭的情况。3.通过对Gd-MOFs:Dy3+以12℃.min-1升温速率热进行热分解分析,发现该材料的起始分解温度在420℃左右,当温度达到590.8℃时分解速率最大,当温度达到720℃,热分解基本结束。根据非等温动力学理论分析,得到了该荧光粉的热分解机理函数、分解原理以及活化能。4.通过对Gd-MOFs:Dy3+@Gd-MOFs:Eu3+热猝灭分析发现,当温度低于120℃时,荧光材料的发光为白光,当温度达到150℃时发射光由白光变为橙黄光,随着温度升高色温逐渐降低,这一特性使得该荧光粉在荧光温度传感器上有很大的应用前景。5.通过对KGd F4:Dy3+,Eu3+与玻璃复合材料的荧光光谱的初步分析,发现两种无机材料复合之后,材料的发射光谱出现了蓝移的现象,所发射的白光色温升高。
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