由于硅集成电路器件的尺寸遵循着摩尔定律不断缩小,即将接近其物理极限,减小栅长以提高性能的方法已经无法继续,因此寻找新的材料、结构、工艺和原理才是集成电路继续发展的方向。与硅同为四族元素的锗材料,由于其具有的较高空穴迁移率,成为了未来集成电路发展的热门候选材料。基于上述原因,本课题选择锗作为衬底材料进行讨论和器件制备。首先讨论了两种最成熟的集成电路掺杂工艺:气相热扩散和离子注入,分析了这些工艺应用于锗基立体结构器件超浅掺杂的局限性,比较得出旋涂掺杂工艺的优势和可行性。在介绍旋涂掺杂工艺基本步骤和原理后,针对锗材料的特点和集成电路工艺的要求,进行了掺杂元素种类的筛选。提出了使用激光退火改善p-n结中杂质分布的设想并讨论其可行性。从扩散的基本原理出发,建立模型计算旋涂掺杂和激光退火得到的p-n结中杂质的分布,讨论了适当参数激光退火对掺杂元素分布可能产生的改善。设计了包含旋涂掺杂和激光退火的p-n结工艺,通过实验制备了热处理和激光退火的旋涂掺杂p-n结,得到的器件性能符合预期,而且经过激光退火的p-n结开关比增大了近一个数量级,证明了激光退火对p-n结特性的改善,通过p-n结势垒电容的测试和计算,证明了杂质分布符合本课题的理论分析。完成p-n结的制备后,又设计了锗基旋涂掺杂晶体管工艺,并制备出具有一定器件性能的样品,证明了旋涂掺杂和激光退火融入传统晶体管工艺的可能性,并通过分析器件制备过程中的问题,提出了改进方案,指导后续的实验和研究。