真空紫外（VUV）稀土荧光材料由于其在无汞荧光灯及等离子平板显示器中的应用,已成为近几年来发光材料研究的重点。而要在高能真空紫外激发下获得高效率的发光则是研究VUV荧光材料的主要目标。研究人员利用寻找在真空紫外区有强吸收的基质材料、稀土离子的强4f^n-15d跃迁、稀土离子间的能量传递以及各种制备方法等研究手段来获取提高VUV荧光材料发光效率的有效途径。虽然目前已取得一些进展,但这方面的研究仍不够系统,因此我们应该重视这些基础研究工作,同时这方面工作的有效积累也会为研究获取高效可见光发射的量子剪裁现象打下良好的基础。本论文研究在VUV和UV激发下,稀土离子Tb³⁺高能量区基质敏化、4f⁷5d电子跃迁特点以及影响因素,来探寻获取提高VUV荧光材料发光效率的有效途径。通过研究,本论文主要获得以下结论:1.研究了Tb³⁺离子掺杂的稀土碱金属复合氟化物和铝酸盐材料处于真空紫外区的基质吸收带的激发特性以及Tb³⁺在不同基质中4f⁷5d跃迁带的激发特性。Tb³⁺在稀土复合氟化物体系基质中的4f⁷5d跃迁吸收带位于170-220nm的范围内,而在含氧酸盐体系中,Tb³⁺的4f⁷5d能级的劈裂重心则明显下移,如在SrAl₁₂O₁₉基质中,由基态到能量较低的Tb³⁺的4f⁷5d能级的吸收带位于230-260nm的范围内。同时观察了不同基质中Tb³⁺的4f⁷5d组态最低能级的位置。2.氟化物的禁带较宽,稀土离子的f-d跃迁在氟化物基质中位于能级较高的位置,避免了与f-f跃迁相重叠,是研究稀土离子的光谱性质的合适基质材料。在Tb³⁺离子掺杂的氟化物体系中,指认了激发光谱中基质吸收带位于130-160nm范围内,且强度较弱;而SrAl₁₂O₁₉:Tb³⁺材料在真空紫外区有较强的基质吸收,并指认了其激发光谱中基质吸收带位于约140-170nm的宽带范围内。Tb³⁺在氧化物基质中的4f⁸-4f⁷5d跃迁吸收带与氟化物基质相比位于较低能级区域,并且氟化物作为基质材料能提供较多的稀土离子4f^n-15d组态的信息。