SiC一维纳米材料是优异的场发射阴极材料,而如何强化其电子发射特性,如获得更低的开启电场和良好的电子发射稳定性等,是其得以应用的重要基础之一。本论文以具有优异场发射性能的SiC 一维纳米材料研发为目标,围绕B掺杂SiC纳米线及其阵列结构的生长及其场发射性能,开展了较为系统的研究工作,主要包括如下几方面:首先,实现了高品质B掺杂3C-SiC纳米线制备及对其掺杂浓度的调控。采用有机前驱体热解法,制备了 B掺杂3C-SiC纳米线,通过改变热解温度和降温速率实现了 B掺杂浓度的调控。研究结果表明,B掺杂浓度随着热解温度的升高而升高,随着降温速率的增大而减小。其次,研究了 B掺杂3C-SiC纳米线的场发射性能。研究结果表明,其室温(～27℃)下的开启电场为1.35V/μm,在室温和高温(200℃)下其场发射电流波动分别为14%和11%,其高温场发射稳定性较未掺杂3C-SiC纳米线的稳定性(电流波动为22%)提高了 1倍,表明通过B掺杂,能够有效地提高3C-SiC纳米线的高温电子发射稳定性。最后,实现了高定向B掺杂SiC纳米线阵列的制备,研究了部份关键工艺参数对阵列生长的影响,检测了阵列结构在不同温度下的场发射性能。通过对不同单晶基片和催化剂种类的探索和优化得出,6H-SiC和4H-SiC上配以Au催化剂,适合SiC纳米阵列的生长。场发射性能研究结果表明,在6H-SiC(主晶面为(0001))基片上生长的SiC纳米阵列,随着温度的升高(室温～400℃),其开启电场从3.09V/μm降至0.85V/μm,电子发射电流波动为9%;在4H-SiC基片上生长的SiC纳米阵列,随着温度的升高(室温～400℃),开启电场从1.49V/μm降至0.80V/μm,电子发射电流波动为10%。