拓扑绝缘体是一类具有奇特物理性能的新型量子材料,其表面导电,体态绝缘,在拓扑量子计算和自旋电子器件领域具有重大的应用潜力。在本论文中,作者通过分子束外延技术,在Sr Ti O3（111）单晶衬底上生长了一系列c轴择优取向的Bi2-xCrxTe3（0≤x≤0.3）薄膜,研究了其结构、形貌及电输运性能,取得了如下主要结果:（1）在不同衬底温度下生长了一系列Bi2Te3薄膜样品,通过对其结构及形貌进行表征,发现Bi/Te束流比1:5时,190℃是薄膜生长的最佳衬底温度。霍尔效应测量表明,所有薄膜均为n型导电,载流子为电子。当衬底温度大于210℃时,Te原子易从薄膜中脱附,形成Te空位,使得载流子浓度大幅增大,迁移率降低。薄膜电阻随温度升高而逐渐增大,呈现金属导电行为;在温度低于10 K时存在电阻“上翘”行为,即电阻随温度降低而增大。薄膜磁阻在低温下均出现反弱局域化行为,薄膜质量会影响反弱局域化消失的温度,当衬底温度大于210℃时,薄膜只在极低温度下才出现该行为。（2）在最佳生长条件下,制备了不同厚度（2.5～20 nm）的Bi2Te3薄膜,发现随着薄膜厚度增大,晶粒尺寸和表面粗糙度均增大。在相同温度下,磁阻随薄膜厚度增大逐渐增大。随薄膜厚度增至15 nm,在240 K附近存在金属-绝缘体转变。此外,在厚度为2.5 nm的薄膜中观察到线性磁阻行为,分析认为该现象可能起源于薄膜表面电荷的不均匀分布。（3）生长了不同Cr掺杂量的Bi2-xCrxTe3（0（27）x≤0.3）外延薄膜,发现Cr掺杂量小于0.3时,薄膜的晶体结构保持不变,但随着Cr掺杂量的增大,薄膜的结晶性能下降,三角岛状形貌向颗粒状形貌转变且表面粗糙度增大。Cr掺杂在Bi2Te3薄膜中引入了铁磁性,在低温下观察到明显的反常霍尔效应,反常霍尔电阻和居里温度均随着Cr含量的提高而增大。由于磁场降低了自旋依赖的载流子的散射程度以及各晶轴磁化难易不一,低温下薄膜呈现明显的各向异性负磁阻,随着温度升高,负磁阻转变为正磁阻。