各向异性磁电阻(AMR)传感器是近年来磁敏传感器的研究重点之一。AMR传感器是利用微电子、微机械加工和薄膜技术将Barber电极和敏感薄膜集成一体的新型磁敏元件，具有微型化、高灵敏度、低功耗、易集成、易批量生产等优点。本文主要研究AMR薄膜的制备、薄膜型磁电阻单元的优化、AMR单元制备过程中的工艺问题、测试系统的制作与AMR单元的性能测试。 采用磁控溅射方法制备AMR薄膜。根据现有溅射系统的特点自行设计了能够产生均匀诱导磁场的基片底座，在此基础上制得了最大磁电阻相对变化率达到2.8％的薄膜。并通过对于工艺条件的摸索，得到了薄膜磁电阻随基片温度及溅射功率的变化规律，实现了工艺参数的优化。 利用ANSYS对AMR传感器不同取向的Barber电极进行分析和计算，得到了不同取向Barber电极的磁电阻相对变化率随归一化磁场的变化曲线，结果表明薄膜磁电阻条宽度为Barber电极间距两倍时，Barber电极与磁电阻条长度方向夹角取50°的传感器具有较好的输出对称性。为AMR传感器输出曲线的对称性，优化AMR传感器性能提供了理论依据。 通过对传感器单元制备工艺的不断摸索，解决了工艺过程中磁电阻条腐蚀、Barber图形光刻与磁电阻单元制备各阶段的表面处理等关键的工艺问题，提高了单元器件制备的成品率。 自制了传感器单元的测试系统并对传感器单元进行了测试。测试结果表明，本文研制的AMR传感器试样具有良好的输出线性与较大的线性范围。