近年来,随着高速无线通信系统朝着更高频率、更宽带宽、更大集成度以及更低成本等方向发展,毫米波频段的通信系统已成为研究的热点,毫米波通信技术广泛地应用于生活的各个方面,但是该项技术还有很大的研究空间,目前尚有很多的问题亟需解决。主流的毫米波信号产生机制有两种:一是采用光学降频技术达到毫米波波段;二是采用电学方法。而采用电学方法产生毫米波也有两个设计方向:一是基于化合物半导体工艺;二是基于硅基标准CMOS工艺。相较于光学降频方法和化合物半导体工艺方法,本论文的标准CMOS工艺实现方法有着集成度高,工艺要求低,成本低,可以实现片上系统和突破工艺最大振荡频率的限制等显著优点。本论文主要研究了一种毫米波频率选择负阻增强型振荡器电路。为获得较高性能的毫米波振荡器,本文首先在传统负阻振荡器结构的基础上,验证了一种具有频率选择功能的负阻增强电路,这一结构在特定的频率下不但能够呈现负阻特性,以增加整体电路的负阻特性,并且可以通过降低结构的整体电感把振荡器的振荡频率推到更高的频率上。将该负阻增强电路和交叉耦合振荡器电路结合,研究具有频率选择负阻增强结构的毫米波振荡器,并对其进行了仿真验证。本文中的毫米波频率选择负阻增强型振荡器采用CMOS 65nm工艺,仿真结果显示振荡器的振荡频率为146GHz,输出功率为-25.77dBm,这使得其工作频率接近了MOS管的截止频率。另外,本文重点研究了在CMOS 65nm工艺下,不同类型电感、场效应晶体管以及电源电压对该振荡器输性能的影响并得出相应结论,这对于更好的理解这一具有高谐振频率的毫米波振荡器具有重要意义。最后根据本文研究结果提出来一些进一步的优化方案。