宽带隙（3.2 eV）的铜铁矿结构CuCrO₂是一种p型透明导电氧化物（TCOs）,由密排[Cu⁺]层和[CrO₆]共棱八面体层沿c轴交替堆垛而成,能自发形成Cu空位提供空穴载流子,主要导电通道为[Cu⁺]层,晶体沿ab面和c轴方向具有大的输运各向异性。但由于该类氧化物中氧离子2p轨道的强烈局域化作用,致使其电导率(¹ S·cm^-1)与n型透明导电材料(如:ITO¹0⁴ S·cm^-1)相比仍有很大差距,限制了其器件的应用。课题组前期的探索发现,富铜对CuCrO₂输运性质有显著的调制作用,基于此,本论文进行了Cu、Cr化学计量比偏离1:1的富铜型Cu_1+δCrO₂（0≤δ≤0.25）多晶、薄膜的制备表征、热电输运性质研究和缺陷态机制讨论;同时对比研究了Mg掺杂CuCrO₂多晶的饱和固溶度和热电输运,以期进一步改善材料的输运性能和各向异性。以热分析结果为指导,采用固相反应法以1100℃/12 h+1100℃/12 h二次烧结制备Cu_1+δCrO₂（δ=0,0.01,0.02,0.03,0.04,0.05,0.06,0.08,0.10,0.25）10个组分系列多晶。基准组分样品（δ=0）的XPS结果显示,Cu为+1价,Cr为+3价。δ=0⁰.05时多晶为铜铁矿单相结构,δ≥0.06开始出现CuO第二相,晶粒在ab面显著长大且致密,层状结构明显,c轴择优取向增强。多晶样品（δ=0⁰.25）在180³00 K符合阿伦尼乌斯（Arrhenius）热激活模式的半导体电输运行为,热激活能从δ=0时的0.474 eV显著下降到δ=0.25时的0.221 eV,室温电阻率由δ=0时的4.64×10⁵Ω·cm显著下降为δ=0.25时的70Ω·cm,下降近4个数量级,400 K下Seebeck系数从1142.68μV·K^-1减小到759.13μV·K^-1,主要由于富铜带来的Cu_（Cr）反位原子引入了受主缺陷能级,显著提高了空穴载流子浓度;另外,晶界和孔隙减少,载流子迁移率提高,加上c轴择优取向使面内的输运分量增加,也降低了电阻率。用脉冲激光沉积（PLD）在平直Al₂O₃（0001）单晶衬底上生长Cu_1+δCrO₂（δ=0,0.05,0.10,0.25）c轴外延薄膜,生长工艺为:淀积730℃/O₂:1 Pa/12 min,退火730℃/O₂:2000 Pa/20min。薄膜均为单相铜铁矿结构,呈岛状生长模式。XPS结果显示,Cu/Cr相对含量T_（Cu/Cr）随组分变化趋势与名义值N_（Cu/Cr）一致,但偏小,如N_（Cu/Cr）=1的薄膜T_（Cu/Cr）=0.8103,主要由于表面清污阶段Ar⁺对Cu的优先刻蚀。Cu 2p_3/2与Cr 2p_3/2的谱峰分别位于932.5±0.2 eV和576.5±0.2 eV,表明Cu和Cr分别为+1价和+3价。富铜型Cu_1+δCrO₂薄膜的室温电阻率均低于δ=0组分薄膜样品的62.6Ω·cm,δ=0.10时最低为13.1Ω·cm。采用固相反应法制备了c轴择优的CuCr_1-x-x Mg_xO₂（0≤x≤0.08）系列多晶,随Mg掺杂量在x=0⁰.03范围内增加,多晶为铜铁矿单相结构,层状晶粒在ab面显著长大,（00l）织构因子最大达0.53,晶界和孔隙显著减少,致密度依次提高。多晶呈热激活机制的半导体电输运行为,热激活能从0.273 eV依次下降到0.031 eV,室温电导率相应提高了3⁴个量级,最大达12.24 S·cm^-1,高温下Seebeck系数从481.2μV·K^-1减小到334.7μV·K^-1。由于声子曳引的贡献,掺Mg样品随温度升高,Seebeck系数增大。x>0.03后,其热电输运性质基本保持不变,微观结构变化不大,在晶界处观察到MgCr₂O₄八面体尖晶石第二相,分析认为Mg掺杂的最大固溶度⁰.03。随Mg²⁺替代Cr³⁺位增加,在靠近价带顶的上方引入受主能级并展宽,使电输运的热激活能显著下降,空穴载流子浓度增大,以及c轴择优取向使面内的输运分量增加是电导率提高的主要原因,而载流子迁移率浮动的影响是次要的。