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量子点在生物技术、太阳能电池和发光二极管等方面的应用引起了广泛关注。基于胶体量子点的发光二极管(quantum dot light-emitting diodes,QLED)具有启亮电压低、发光单色性好、低能耗、发光颜色可通过量子点尺寸调节和低成本的溶液法制备等优点,在显示领域和固态照明领域具有巨大的应用潜力。但仍需要提高QLED的亮度和器件的寿命才能达到商业化应用。目前,提高器件性能的主要途径包括设计新的器件结构、发展新的量子点和传输材料以优化载流子的注入。本文主要从载流子传输层和量子点层对QLED性能的影响两方面出发进行系统研究,主要内容如下:1.无机载流子传输层能避免有机载流子传输层在空气中的氧化和分解。采用溶液旋涂法成功制备出全无机载流子传输层的QLED。结合对载流子传输层的表征和对QLED光电特性测试,分析了全无机载流子传输层QLED发光效率低的原因。溶液法制备全无机载流子传输层QLED为低成本制备全无机QLED提供了方向。2.采用传统混合传输层的器件结构,分别研究了不同电子传输层和空穴传输层对QLED性能的影响。对于电子传输层,比较了ZnO和TiOx分别作为电子传输层对器件性能的影响。结果表明ZnO器件比Ti Ox器件电流密度更小,同时ZnO器件比TiOx器件具有更高的亮度和更低的启亮电压。对于空穴传输层,比较了聚四苯基联苯胺(Poly-TPD)与聚乙烯咔唑(PVK)分别作为空穴传输层对QLED性能的影响,并分别向其中掺入小分子有机物四苯基联苯胺(TPD)对载流子迁移率和能带进行调节。结果表明Poly-TPD器件比PVK器件性能更优,然而掺入小分子TPD后器件性能降低。结合载流子传输层自身的材料特性,对QLED光电特性测试结果进行分析。3.合金量子点与核壳量子点相比,有利于载流子的注入和激子的限制。我们采用一步法合成了CdSeZnS成分梯度合金量子点,并对量子点进行表征。表征结果显示合成的CdSeZnS合金量子点颗粒尺寸分布均匀,光致发光谱的发射峰为481nm。将合成的CdSeZnS合金量子点作为QLED的发光层制备出完整的器件,并测试了QLED的光电特性。