紫外探测器相关论文
GaN是一种直接带隙半导体材料,其光学带隙约为3.4 e V,对应吸收边为365 nm。合适的带隙、优异的热导率和良好的稳定性使GaN成为理......
光电探测器作为人类探索世界感知世界的“千里眼”,在军事和民用领域都有着极为重要的作用和广泛的应用,例如导弹告警、火灾探测、......
高性能紫外光探测器在环境监控、临床医学、空间探测、军事安全等方面具有广泛的应用前景。近年,基于ZnO纳米棒（NRs）的紫外传感器表......
近年来,人们对紫外探测器的需求日益增加,探测器的微型化、集成化和低功耗成为了人们研究的重点,自供电探测器不需要外加偏压即可......
全无机卤化物钙钛矿（AIHPs）因其固有的高光吸收系数和优越的环境稳定性而引起人们的广泛关注,然而可见盲紫外波段探测器方面的研究仍......
近年来,紫外光电探测器由于在天文学、环境监测、先进通信和辐射探测等领域的广泛应用,受到越来越多的关注。InGaO3（ZnO）n超晶格纳米......
偏振紫外发光与探测在紫外偏振曝光、宇宙背景辐射探测、大气分析等特种应用领域有着重要的应用价值。非极性a面ZnO材料,一方面因......
作为第三代半导体的一员,AlGaN的研究和发展已取得重大进步,同时基于此材料的紫外探测器也得以空前发展。由于各类型AlGaN基紫外探......
紫外探测技术在军事和民用领域都有广阔的应用前景。传统的真空光电倍增管和硅基光电二极管已无法满足人们日益增长的需求,紫外探......
本文采用脉冲激光沉积法（PLD）在石英及SiO2/Si衬底上生长了 MgZnO薄膜,研究了不同Mg含量靶材、衬底温度、氧气压强以及氧气流量等对......
GaN基材料具有直接带隙、禁带宽、光吸收系数大、抗辐射及耐高温等优良的物理和化学特性,非常适合制备高性能的光电探测器或者电子......
蓝宝石衬底质地坚硬、不易减薄且表面翘曲严重,碳化硅衬底尺寸小、价格昂贵,相较之下,硅衬底价格低廉、晶圆尺寸大、晶体质量高、......
近年来,紫外探测技术被广泛的应用于化学、环境和生物分析、火焰和辐射检测、天文学研究、光学通信和导弹预警等民用及军用领域。......
The current-voltage (I-V) characteristics of 4H-SiC metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet photodetector with diffe......
We create a GaN photocathode based on graded AlxGa1?xN buffer layers to overcome the influence of buffer-emission layer ......
设计了一种以蓝宝石为衬底、AlN为缓冲层的MOCVD外延P-GaN样品作为透射式阴极材料，并利用超高真空表面净化工艺与（Cs,O）激活工艺对其......
MSM结构探测器具有结构与工艺简单、制备成本低、量子效率高等特点而在探测器应用中得到重视.本文制备了采用镍作为肖特基接触形成......
GaN光电阴极的制备成功与否需用科学手段加以评估。在GaAs光电阴极多信息量测试系统的基础上, 增设紫外光源, 并对评估软件重新加......
紫外光的探测在辐射监测，生化分析，天文学和导弹发射等领域中具有重要的作用，人们对高性能紫外探测器的需求不断增长。在各种紫外探测......
第三代半导体材料具有禁带宽度大和击穿场强高等优点,因此在紫外探测和电力电子方面具有巨大的发展前景和研究意义。尤其是β-Ga2O......
随着科学技术的快速发展,无论是军事还是民用领域,对光电技术的需求日益增多,光电科学吸引着越来越多研究者的注意。氧化镓具有超......
超宽禁带半导体材料氮化铝(AlN)具有超高击穿场强、高饱和电子漂移速度、高热导率、高表面声速、高非线性光学系数等优点,可用于制......
报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况,介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器......
制备了薄p型层GaN基p-i-n型紫外探测器,并对其反向漏电特性进行了研究。探测器材料采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石......
对采用MOCVD生长的AlGaN pin结构上制备的背照日盲型3×3AlGaN串联紫外探测器进行了光电性能的研究。室温下单元探测器的峰值响应......
为了适应紫外探测技术的迅速发展,满足对紫外光源和紫外探测器校准的需求,建立了紫外-真空紫外光谱辐照度校准装置。装置由标准光......
通过对日盲型紫外探测器光电性能及其技术平台的分析,提出了一种包括三个层次的日盲型紫外探测器的评价指标体系。采用层次分析法......
石墨烯(graphene)是一种典型的二维材料,由于其在光学、电学和机械学等方面的特性,从2004年在实验室被发现至今,一直是科学研究的......
近年来,日盲探测器因其背景噪声低及灵敏度高等优势,在光电子技术领域发挥了其不可替代的作用。Ga2O3作为一种新型宽禁带氧化物半......
Ga_2O_3作为一种新型化合物半导体材料,具有多种同分异构体结构,其中以单斜晶系的β-Ga_2O_3最为受到人们的关注。与GaN、SiC等半......
随着近几年科技的迅速发展,人们对紫外线的研究取得了重大突破。紫外探测技术被广泛应用生活中的医学、军事、生活等几个方面。首......
近年来,无论在国防军事还是民用领域,紫外探测技术都具有十分重要的作用。氧化锌（Zn O）作为一种重要的Ⅱ—Ⅵ族直接宽带隙半导体材料......
紫外光的探测在辐射监测,生化分析,天文学和导弹发射等领域中具有重要的作用,人们对高性能紫外探测器的需求不断增长。在各种紫外......
激光液相烧蚀法(Laser ablation in liquid,LAL)已应用于制备光电功能纳米材料,包括Ⅳ族半导体(Si,Ge,Se等),Ⅳ-Ⅳ族半导体(SiC,Si......
第三代宽禁带(3.37 eV)半导体材料ZnO具有环境友好、缺陷密度低、抗辐射能力强等优点,被认为是制备紫外光电探测器的理想候选材料......
碘化亚铜（CuI）是一种p型直接宽带隙无机半导体材料,禁带宽度～3.1eV,具有很大的激子束缚能（62meV）,较高的载流子浓度和空穴迁移率,而且Cu......
ZnO是一种II–VI族的宽禁带半导体材料,通过Mg的掺杂可以使其禁带宽度在3.3 e V到7.8 e V之间连续可调,由于在日盲区紫外探测方面......
氧化锌材料在室温下具有宽的禁带宽度（约3.37 eV）,高的激子束缚能（60 meV）,能够实现高效率的紫外光发射,是理想的紫外发光材料,在紫外......
紫外探测技术在空间通讯、污染监测以及生物医学领域都有着广泛应用,已经成为一项新型军民两用技术。与传统商业使用得光电倍增管......
随着半导体科学技术的日益发展,以GaN及其三元合金AlGaN为代表的氮化物材料凭借带隙宽度大、击穿电压高、化学稳定性优异等优点已......
紫外探测技术是继激光和红外探测技术之后发展起来的又一新型军民两用探测技术,由于宇宙空间、导弹发动机尾焰、高压线电晕等都含......
首先采用化学气相沉积法成功制备半导体氧化镓(Ga2O3)纳米线,并通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜等检测手段对其形貌、结构和尺......
弹道导弹预警作为弹道导弹防御的首要阶段,其能力直接影响整体防御效果。介绍了弹道导弹预警,在此基础上,从光学探测技术和雷达探......
