紫外探测技术是继激光和红外探测技术之后发展起来的又一新型军民两用探测技术,由于宇宙空间、导弹发动机尾焰、高压线电晕等都含有紫外辐射,因而紫外探测技术在火焰探测、导弹预警、高压电弧放电探测、环境监测、紫外通信等领域具有广阔的应用前景。紫外探测器是紫外探测技术的核心,目前已投入商业和军事应用的比较常见的是真空光电倍增管和硅基紫外光电管。近年来,伴随着以氮化镓(Ga N)、氧化锌(Zn O)、碳化硅(Si C)等为代表的宽禁带半导体的飞速发展,基于宽禁带半导体材料的紫外探测器引起了人们的广泛关注,它们具有体积小、能耗低、抗辐射性强、本征可见盲、稳定性高等诸多优点,被认为有望取代真空光电倍增管和硅基紫外光电管而成为新一代紫外探测器件。在众多的宽禁带半导体材料中,Zn O材料具有低缺陷密度、高饱和载流子漂移率、低成本、较宽的禁带宽度调节范围(3.37-7.8 e V)等独特优势,被认为是制备高性能紫外探测器最有前途的材料之一。但是,尽管Zn O基紫外探测器已经取得了长足的进展,但其在综合性能水平和稳定性等方面距离实际应用还有明显差距,针对该问题,本论文利用纳米球刻印技术获得了微孔阵列金属薄膜,并实现了基于微孔阵列电极结构的Zn O基紫外探测器,获得了紫外光响应性能的提高,同时采用有机硅胶作为密封封装材料极大地改善了Zn O基紫外探测器的工作稳定性,取得的主要研究成果如下:1.通过纳米球刻印技术在衬底表面制备单层排布的聚苯乙烯(PS)小球,并通过氧气等离子体处理调控小球的尺寸和距离,同时以该PS小球为模板制备了微孔阵列金属薄膜,研究了其光学和电学特性。2.构建基于Ag微孔阵列电极结构的Zn O基紫外探测器,实现了器件探测性能的显著提高。首先通过MOCVD方法制备了Mg Zn O薄膜,然后利用光刻和PS小球模板相结合的技术在其上制备微孔阵列Ag薄膜叉指电极。和基于常规金属薄膜电极的器件相比,基于微孔阵列叉指电极的Zn O基紫外探测器的光响应度提高了200%。该工作表明微孔阵列结构电极在制备高性能紫外探测器方面具有重要的潜在应用前景。3.首次开展了Zn O基紫外光电探测器的封装研究,利用有机硅胶作为密封封装材料对Zn O基紫外探测器进行封装。器件在封装后响应度有所提升,响应速度稍有下降,但其稳定性明显提高,长时间放置后,响应度和响应时间基本不发生变化,进一步推进了Zn O基紫外探测器的实用化进程。