日盲相关论文
日盲紫外探测技术具有增益高、信噪比高、虚警率低、功耗低和体积小等优点，是导弹预警、电晕检测等应用领域的关键核心技术。本文从......
作为第三代半导体的一员,AlGaN的研究和发展已取得重大进步,同时基于此材料的紫外探测器也得以空前发展。由于各类型AlGaN基紫外探......
AlGaN半导体材料的带隙宽度可以从3.4eV到6.2eV连续可调,覆盖了从365 nm到200 nm的紫外波段,是制备紫外短波长发光和探测器件不可......
描述了基于AlGaN日盲紫外焦平面成像系统的硬件和软件设计,实现了对320×256阵列的AlGaN日盲紫外焦平面探测器输出信号的采集、图......
大山总裁说过：“比起空读上百卷的书，不如实实在在读上10卷有用。转掌是包含着空手道生命的最最重要的形态，学习空手道的话要抱着学习......
报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况,介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器......
对采用MOCVD生长的AlGaN pin结构上制备的背照日盲型3×3AlGaN串联紫外探测器进行了光电性能的研究。室温下单元探测器的峰值响应......
紫外波段薄膜的研究在军事和民用领域都具有重要意义。国内外对该波段薄膜的研制多采用高、低折射率材料交替镀制的介质膜层结构,......
通过数值模拟研究了各层参数对极化调控的背入射异质结分离吸收倍增层型AlGaN基雪崩光电二极管（AP-Ds）性能的影响，并详细分析相关物理......
利用现有外延材料生长技术和器件工艺技术,生长了背照式AlxGa1-xN pin外延材料,并用生长的材料制作了日盲紫外探测器,测试结果表明......
通过对日盲型紫外探测器光电性能及其技术平台的分析,提出了一种包括三个层次的日盲型紫外探测器的评价指标体系。采用层次分析法......
为满足日盲探测系统的技术要求,研制了一种可以实现紫外日盲区(200~270nm)高透射、近紫外到近红外区(300~1200nm)深截止的光学滤光......
Ga_2O_3半导体材料共有六种结构。其中单斜相的β-Ga_2O_3由于具有最好的热力学稳定性,并且可以用作单晶衬底,受到人们广泛的关注......
ZnO是一种直接带隙半导体材料,通过掺杂Mg元素可以获得MgZn O三元合金,实现带隙在3.3-7.8 eV之间可调。针对Zn O基MSM结构紫外光电......
学位
首先采用化学气相沉积法成功制备半导体氧化镓(Ga2O3)纳米线,并通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜等检测手段对其形貌、结构和尺......
为满足紫外告警系统成像需要,实现对太阳光谱盲区光子图像接受检测的作用,研制了一种紫外成像滤光片。采用电子束(EB)加热蒸发和离......
针对现有基于低压汞蒸气灯“日盲”紫外光通信系统通信速率低、驱动电压高、光源响应速度慢、电光转换效率低和功耗过高等问题,提......
紫外日盲通信凭借其优良的光学特性被越来越多地应用在光学系统中。紫外日盲通信系统与常规通信系统相比,具有结构简单、虚警率低......
利用Luettgen单次散射信道模型对雾环境下非视距日盲紫外光通信信道传输特性进行了模拟分析。选取波长为260nm的紫外光,分析了雾环......
介绍了两类主要的紫外图像传感器技术的最新研究进展,根据其特点对它们在特定紫外成像应用需求中的优势和不足进行了简要分析,最后......
基于在双面抛光的蓝宝石衬底上采用等离子体增强的分子束外延方法生长了AlGaN 基p-Al0.45Ga0.55N/i-Al0.35Ga0.65N/n-Al0.45Ga0.55......
太阳光辐射中的0.24-0.28μm波段被大气中臭氧层强烈吸收,使该波段的紫外辐射难以到达近地表面,形成了日盲区.日盲型紫外告警系统......
研制一种以薄的高阻AlGaN覆盖层作为肖特基势垒增强层的N?AlGaN基金属?半导体?金属（MSM）日盲紫外光电探测器。与无覆盖层的参考器件......
利用溶胶-凝胶提拉法在石英玻璃衬底上制备出吸收边波长位于地球表面太阳光谱日盲区(240～280nm)内的MgxNi1-xO薄膜.XPS和XRD结果显......
