开启电压相关论文
本文报道了一种工艺简单可靠、利用钨丝掩膜质子轰击（见Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｅｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１９９６，１１∶１７３４～１７３６）方法制成的室温准连续运转可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为６６０ｎｍ。外延片......
报道了320×256元AlxGa1-xN日盲型紫外探测器及其焦平面阵列探测器的研制情况,介绍了材料生长、器件制备工艺和器件的光电特性。器......
本文基于多晶SiGe栅量子阱SiGe pMOSFET器件物理,考虑沟道反型时自由载流子对器件纵向电势的影响,通过求解泊松方程,建立了p+多晶S......
对采用MOCVD生长的AlGaN pin结构上制备的背照日盲型3×3AlGaN串联紫外探测器进行了光电性能的研究。室温下单元探测器的峰值响应......
本文报导了紫外光擦除,电可编程序唯读存储器8KEPROM 的研制概况。介绍了器件特点,写入模型和擦除模型。并对电路进行了初步分析;......
本工作研究了掺砷二氧化硅乳胶源的制备、涂布及扩散工艺、扩散规律。把掺砷乳胶源应用到集成电路TTLSM323生产的隐埋扩散中去,得......
在实践中准确地测定和表征出MOS器件样管的开启电压,对于大规模集成电路的设计以及将MOS器件作为分立器件的在电路应用,均是至关重......
随着化石燃料的逐渐枯竭和环境污染问题的日益凸显,新能源的开发已迫在眉睫,作为清洁能源的代表——太阳能,正成为新能源开发的主......
碳纳米管(Carbon Nanotube, CNT)是继C60之后碳材料领域的重大发现,是由一层或多层石墨片卷曲而成的同心中空管,因其奇特的结构和......
以Cl2+SF6为刻蚀气体用RIE刻蚀机在200mtorr压力下刻蚀Channel部a-Silicon.通过调整刻蚀时间.研究a-Silicon剩余厚度对TFT特性的影......
采用悬浮球模型,结合对称的镜像电荷层方法,对静电场中纳米碳管阵列的场增强因子进行了计算,并在考虑极板间距的情况下,对其计算结......
