外延片相关论文
分析表明,单晶硅晶圆抛光片外延生长过程会产生多种缺陷,包括亮点、划痕、滑移线、橘皮、条纹、线状缺陷、雾等,有些可以通过强光......
本文主要对硅外延片表面微缺陷分析方法进行研究,通过配置一定比例的重铬酸钾及氢氟酸腐蚀液,严格按照试验方法的操作步骤对硅外延......
我国特种气体市场起步较晚,所以在技术领域较国外巨头企业有一定的差距,也正是因为如此特种气体市场长期被外企所垄断。但近年来国......
由硅材料电阻率的选择、结面积设计的不同，试制几种温敏二极管，在恒定电流下，测量室温至１２０℃温度范围内正向电压Ｖｆ与温度Ｔ的关系，测试结果表......
本文报道了一种工艺简单可靠、利用钨丝掩膜质子轰击（见Ｓｅｍｉｃｏｎｄ．Ｓｅｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．，１９９６，１１∶１７３４～１７３６）方法制成的室温准连续运转可见光垂直腔面发射激光器。激射波长为６６０ｎｍ。外延片......
利用一种改进的液相外延技术进行了ＧａＡｓ衬底上ＩｎＧａＡｓＰ材料的生长，１０Ｋ温度下光荧光半宽度（ＦＷＨＭ）为１４ｍｅＶ，获得了阈值电流密度为３００Ａ／ｃｍ２的ＳＣＨ多层结构外延片，宽台面激光器最大......
Gree和TriQuint公司开始大举竞争GaN代工业务。在所有情况下,军事应用是发展GaN器件的强劲动力。GaN器件诱人之处在于它具有功率密......
夜色来临，华灯初上，潍坊市区夜色阑珊。城区主干道北海路格外引人注目，设计成蝴蝶形状的新型LED灯饰，轻巧、飘逸，翩翩欲飞，为行人带来一......
研究了光泵浦垂直外腔面发射激光器(OPS-VECSEL)的湿法腐蚀工艺,采用快速腐蚀和精细选择腐蚀相结合的腐蚀方法,使得衬底能被干净地......
用来制作光电子器件的(Al_(0.1)Ga_(0.9))_(0.5)In_(0.5)为直接带隙的四元合金材料,对应的发光波长为630nm,在其LP-MOCVD(low pres......
对高Al组分AlxGa1-xN(x=50%)进行了ICP刻蚀实验研究,在刻蚀深度相同的前提条件下,对比分析了ICP腔室压力与AlGaN表面损伤之间的相......
157nm是对硬脆材料进行激光表面微加工的理想波段。构建数学模型以探讨激光抛光材料时工艺参数对表面粗糙度Ra的影响,使用最小二乘......
通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光......
采用不同能量密度、脉冲数的248nm准分子激光对表面为p型的GaN外延片进行辐照,再对样品进行退火处理。对激光辐照前后以及退火前后......
SiC金属氧化物半导体(MOS)器件中SiO_2栅氧化层的可靠性直接影响器件的功能。为了开发高可靠性的栅氧化层,将n型4H-SiC(0001)外延......
<正>功率GaAs PIN限幅器已广泛地应用于微波系统中,以保护接收支路中的低噪声放大器。南京电子器件研究所研制出X波段100 W GaAs单......
目前，现有的商用实时测量仪无法对硅方格图形衬底做出弯曲度测量，本文研制了一种对外延片弯曲度实时监测的设备，用以满足实时获得硅图......
质子轰击条形DH激光器,通常我们采用常规的液相外延方法来制造。一般在n-GaAs衬底材料上生长Ga_(1-x)Al_xAs-GaAs五层DH结构。n面......
一、引言 硅外延工艺曾对器件工艺产生了变革性的影响。近年来,随着器件的发展,对硅外延材料提出了更高的要求。在采用低位错单晶......
我们使用上海有色光学玻璃厂生产的硼微晶玻璃片作为P型扩散源,生产硅高频大功率晶体管.在使用过程中,我们感到硼微晶玻璃片有以......
由于现有商用在线曲率测量仪在硅方格图形衬底外延中无法使用,为了能获得Si图形衬底GaN外延生长过程中的应力变化信息,本文设计制......
在全球能源短缺的忧虑再度升高的背景下,白光 LED 在照明市场的前景备受全球瞩目,许多国家成立专门的机构推动白光 LED 研发工作,......
近几年,中国半导体照明产业一直保持着良好的发展势头和增长速度,目前已初步实现了外延片和芯片的自主生产,形成了较为完整的产业......
深圳市已设立深圳国家半导体照明工程产业化基地联席会议,积极推进LED产业发展.目前,基本形成衬底材料--外延片-芯片-封装-应用相......
LED产业链包括上游的外延片制造、中游的芯片制备、下游的封装、测试及照明显示应用等环节。外延片处于LED产业链中的上游环节,包......
用微区光致发光和拉曼散射光谱比较了国内外GaP:ZnO红光二极管产品的结构,在国内首先实现了用微区光学方法检测LED外延片并进行生......
介绍了一种利用新型发光二极管外延片光致发光光谱在线检测仪对 Ga P发光二极管外延片进行在线无损检测和质量控制的方法 .通过对......
