宽禁带相关论文
功率器件是宇航电源的重要组成部分，在整个航天技术快速发展的背景下，现有的宇航电源已无法满足小型化、轻量化、高效率和超大功率化......
碳原子由于具有独特的sp-,sp~2-,sp~3-杂化成键能力,能够形成多种结构和性质迥异的碳材料。自然状态下,其常以石墨、金刚石、无定......
介绍了现代硅基大功率半导体器件的历史演变和新型器件结构的研究进展,以及宽禁带半导体材料和器件的现状;阐述了国内大功率半导体......
构造了三种慢变结构的光子晶体,利用光学传输矩阵方法对它们的光子能带特性进行了研究,发现所提出的结构能够十分有效地拓宽光子晶......
市场趋势和更严格的行业标准推动电子产品向更高能效和更紧凑的方向发展。宽禁带产品有出色的性能优势,有助于高频应用实现高能效......
Gree和TriQuint公司开始大举竞争GaN代工业务。在所有情况下,军事应用是发展GaN器件的强劲动力。GaN器件诱人之处在于它具有功率密......
美国普渡大学研究人员采用β-Ga_2O_3半导体材料制造出了场效应晶体管,这种材料将能够用于制造超高效率开关,应用于电网、军用舰船......
近日,美国桑迪亚国家实验室研究人员展示了先进半导体材料制成的晶体管和二极管,性能远优于硅材料。这项突破朝着实现更紧凑、更高......
日前,沧州市高新区与科光控股有限公司签订合作协议,双方将在高新区建设宽禁带化合物半导体芯片生产基地。科光控股有限公司由加拿......
氧化镓是一种具有宽禁带的新型半导体材料,得益于其良好的物理特性(具有较大的禁带宽度,较大的击穿电场强度等)以及良好的化学稳定......
研究了几种两端有慢变周期结构的光子晶体的能带特性。研究发现 ,通过在普通光子晶体两端添加适当的慢变周期结构 ,可以使光子晶体......
