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本文研究了电子束蒸发的掺过渡金属元素 Cr 的非晶硅基薄膜 a-Si1-xCrx 的光吸收特性.研究结果表明,这类薄膜的组分变化,对近红外......
对高Al组分AlxGa1-xN(x=50%)进行了ICP刻蚀实验研究,在刻蚀深度相同的前提条件下,对比分析了ICP腔室压力与AlGaN表面损伤之间的相......
4 非晶硅中氢(H)的作用(1)钝化悬挂键实际上早期采用蒸发方法制备的非晶硅材料并不含有氢(H),所以写成a-Si.缺陷态密度很高,很难制......
1、简介rn我公司研制的卧式PECVD设备专门应用于太阳能电池制造领域中氮化硅薄膜的淀积工艺.rn由于PECVD淀积氮化硅膜时,在生长氮......
研究了在KOH溶液中(110)硅片的腐蚀特性,在保证(110)面的平整和{111}面的光滑的腐蚀实验条件下,利用(110)面和{111}面腐蚀选择比大......
