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非晶硅(a-Si)薄膜因其光吸收系数高、容易可控掺杂、可高速大面积沉积、与半导体工艺兼容等优点,在薄膜太阳能电池、TFT-LCD、非制冷红外焦平面阵列、航天遥感遥测等领域具有广阔的应用前景。然而,非晶硅薄膜的电导率较低,特别是其电学性能的稳定性较差,至今没有得到根本的解决,从而限制其在各领域的应用。研究表明,掺杂能有效提高非晶硅薄膜的载流子浓度,从而提高其电导率;晶体半导体薄膜的电导率优于非晶半导体薄膜。因此,在掺杂的基础上,通过气体稀释改善薄膜的微结构,可望使非晶硅薄膜的导电性得到进一步的改善。