有机场效应晶体管（OFET）由于具有工艺简单、良好的柔韧性、适合低温、低成本和大面积制造的特点以及在电子器件上有着巨大应用潜力而受到广泛关注。近年来，随着大量致力于获得高性能OFET的研究，OFET已经发展到非晶硅器件的水平，被广泛应用于柔性显示驱动、智能卡、检测器、电子报纸等领域。通常，为了提高OFET性能，除了选用良好的有源层材料、选择合适的器件结构外，电极的修饰也是器件性能提高的一个重要因素。因此，选用合适的电极修饰层,是OFET性能提高的一种有效途径。本文首先综述了OFET近几十年不同的发展阶段，存在的问题及主要应用领域，介绍了制备OFET所需的有机半导体材料和常用结构，阐述了载流子的注入与传输机制。针对目前OFET的发展趋势以及存在的问题，围绕选用过渡金属氧化物V₂O₅修饰电极来提高OFET的性能开展了以下工作：（1）制备了用过渡金属氧化物V₂O₅修饰Al源漏电极的Pentacene有机场效应晶体管（OFET），研究了过渡金属氧化物V₂O₅修饰层厚度对OFET性能的影响。与未插入V₂O₅修饰层的器件相比，插入V₂O₅修饰层后，减小了Al源漏电极与Pentacene之间的接触电阻，提高了空穴的注入，实现了OFET性能的提高。（2）制备了用过渡金属氧化物V₂O₅修饰Al源漏电极的C₆₀/Pentacene双层异质结有机场效应晶体管（AOFET）。该构型器件与未修饰器件相比，呈现出典型的双极型晶体管传输特性。器件性能改善的原因主要是由于插入V₂O₅修饰层后，可以明显降低Al电极与Pentacene之间的接触势垒，提高了空穴的有效注入，从而使电子和空穴的注入接近平衡。（3）制备了用过渡金属氧化物V₂O₅修饰Al源漏电极的Pentacene垂直结构场效应晶体管（VOFET），并研究了V₂O₅修饰层厚度对VOFET性能的影响。插入V₂O₅修饰层后，器件实现了低工作电压下的大电流输出，提供了一种降低电极制造成本的方法。（4）探索制备了用过渡金属氧化物V₂O₅修饰Al源漏电极的Pentacene光敏场效应晶体管（PhotOFET），并研究了V₂O₅修饰层对PhotOFET性能的影响。结果表明，当插入V₂O₅修饰层后，器件的光敏特性得到了提高，对光的吸收也有所加强，同时明暗电流比增大，为进一步研究其光敏特性奠定了基础。