为满足宽带无线移动数据业务对传输速率、系统容量和网络性能的需求，国际电信联盟2003年对IMT-2000(第三代移动通信系统)演进的技术趋势，以及IMT-2000后续演进系统的框架与目标进行了初步定义，并于2005年10月正式将System Beyond IMT-2000命名为IMT-Advanced，即第四代移动通信(4G)。IMT-Advanced系统的传输速率在高移动性下支持100Mbps，低移动性下支持1Gbps，其高传输速率要求射频收发机支持更高的带宽，这也大大增加了射频系统的复杂性，对射频电路设计提出了新的挑战。　　 本论文针对满足IMT-Advanced标准的射频发射机前端展开研究，首先分析了衡量发射机性能的主要指标，然后介绍了常用的发射机架构并对其优缺点作了简要分析，选择了以直接上变频为基础的IMT-Advanced射频前端，并基于这种架构，采用0.18um RFCMOS工艺设计实现了发射机前端的正交单边带上变频器和有源巴伦电路。上变频器以经典的电流换向结构为基础，采用电阻负载以满足多频带工作、高线性度和高带内增益平坦度要求，并节省了面积。通过集成有源巴伦将混频器输出差分信号转换成单端信号，提高了发射机的系统集成度且有利于降低功耗。测试结果表明：在2.3-2.4GHz及3.4-3.6GHz工作频带内：输入1dB压缩点(IP1dB)大于0dBm，本振泄漏小于-47dBm，镜像信号抑制大于36dB，为IMT-Advanced标准的无线射频前端芯片的进一步研究提供了参考。本论文工作完成的射频模块在4G收发机SoC中获得了实际应用。