有机-无机杂化卤化物钙钛矿材料具有优异的光电性能,如长载流子寿命、高载流子迁移率、高光吸收系数和带隙可调节等,可应用于制备多种光电器件,其中钙钛矿太阳能电池在过去十余年中发展势头迅猛。目前,钙钛矿薄膜一般采用溶液法制备,由于结晶速度快且不宜控制,所制得的多晶钙钛矿薄膜内部、晶界和表面不可避免地存在一些间隙、空位或其它缺陷。尽管钙钛矿材料对缺陷的容忍度较高,但随着钙钛矿太阳能电池光电转换效率（photoelectric conversion efficiency,PCE）逐渐提升到一个较高水平,缺陷的存在成为了阻碍钙钛矿电池性能继续提高的主要因素。因此,本文致力于研究钙钛矿薄膜的缺陷钝化方法,通过不同的钝化策略来提高薄膜质量,抑制缺陷诱导的载流子非辐射复合,从而进一步提升电池性能。本文的主要研究内容和结果如下:（1）发展了一种可以在调控晶粒生长的同时钝化钙钛矿中缺陷的添加剂方法,即在利用两步旋涂法制备钙钛矿时,将四丁基碘化铵（tetrabutylammonium iodide,TBAI）引入铅盐前驱液中,通过影响钙钛矿层的结晶过程实现薄膜形貌调控、缺陷钝化和器件光伏性能提升。研究结果表明,经过TBAI优化处理后,钙钛矿晶粒尺寸明显增大,钙钛矿薄膜缺陷密度从1.36×1016 cm-3减小至9.16×1015 cm-3且电子迁移率显著增加,从而抑制了钙钛矿薄膜中的缺陷辅助载流子非辐射复合并改善了界面处的电荷转移效率。这可能是由于一方面TBAI中N原子的孤对电子可与Pb I2中的Pb2+发生路易斯酸碱相互作用,延缓了从Pb I2向钙钛矿的转化结晶过程从而增大了晶粒尺寸并钝化钙钛矿中未配位的Pb2+缺陷,另一方面TBAI中的I–还可以通过静电相互作用填充钙钛矿中的I–空位缺陷。优化TBAI处理浓度后,钙钛矿太阳能电池器件（Au为背电极）实现了18.16%的PCE,明显高于对照电池的15.73%。（2）发展了一种有效的钙钛矿层的表面后处理方法,即使用双氟磺酰亚胺钾盐（Potassium bis（fluorosulfonyl）imide,KFSI）对钙钛矿薄膜表面进行后处理,达到了钝化钙钛矿缺陷,提高器件光伏性能并减小迟滞效应的效果。研究表明,KFSI中的S=O键、S-N键、带正电荷的K+和带负电荷的FSI–离子均可通过路易斯酸碱相互作用或者形成离子键对钙钛矿膜中的多个缺陷起到钝化作用。经过优化浓度的KFSI处理后,钙钛矿薄膜的陷阱密度从8.41×1015 cm-3下降到3.97×1015 cm-3,显著抑制了钙钛矿薄膜内部以及钙钛矿与空穴传输层界面的陷阱辅助非辐射复合。经KFSI处理的电池器件（Au为背电极）实现了～19%的PCE且迟滞现象减小,明显优于对照器件的17.22%。同时,所制备太阳能电池的性能可重复性显著提高。这项工作为钝化钙钛矿薄膜中的多种缺陷,进一步提高钙钛矿太阳能电池的性能提供了一种简便方法。