本文对深亚微米源漏扩展MOS器件结构及其可靠性进行了深入研究，首先通过仿真验证了源漏扩展(SDE)结构对短沟道效应的抑制，SDE区寄生电阻对器件性能的影响以及SDE区掺杂浓度的提高对器件性能的改善，指出了器件尺寸进一步减小后，提高源漏扩展区掺杂浓度的必要性。 论文的重点是研究SDEMOS器件的热载流子可靠性，研究发现SDEMOS器件的退化特性与常规器件不同，通过实验与模拟相结合的方法，指出SDEMOS器件退化呈现出不同特点的内在原因，并给出了SDE MOS器件退化特性的物理解释。在此基础上，指出采用峰值衬底电流评估SDE结构器件可靠性的局限性，以及在采用I-V特性测试方法研究SDE结构器件的热载流子效应时，阈值电压作为退化判据所存在的问题。 本文还深入研究了SDE区掺杂浓度对器件热载流子可靠性的影响，指出浓度的提高虽然会产生更多的热载流子，但由于其对热载流子损伤的敏感度降低，因此将存在一种折衷，最后通过一个简单的寄生电阻模型，对掺杂浓度提高后，器件对热载流子损伤敏感度降低的现象做出了很好的解释。