【摘 要】
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该文主要研究了GaAs/AlGaAs抛物量子阱中的束缚极化子.在文中,我们不仅考虑了体纵光学(LO)声子,而且考虑了较复杂的界面纵光学(IO)声子.我们利用Melnikov等人在研究量子点中
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该文主要研究了GaAs/Al<,x>Ga<,1-x>As抛物量子阱中的束缚极化子.在文中,我们不仅考虑了体纵光学(LO)声子,而且考虑了较复杂的界面纵光学(IO)声子.我们利用Melnikov等人在研究量子点中的束缚极化子时所用的改进的LLP方法,通过两次幺正变换处理电子与声子、施主离子与声子的相互作用.经过第一次幺正变换后,我们求出极化势(polarization potential);经过第二次幺正变换后,我们利用变分法进一步求出无限深抛物量子阱中的束缚极化子的基态能量、能量移动(energy shift)和基态结合能.研究结果表明,在窄阱中必须同时考虑体LO声子和IO声子.在阱的中心附近LO声子对极化势的贡献是主要的,在阱的界面附近IO声子对极化势的贡献是主要的;阱宽较小时,束缚极化子的基态能量、能量移动、基态结合能随阱宽L的增大而迅速减小;阱宽较大时,能量缓慢地减小,最后接近于GaAs材料中的三维值;束缚极化子的基态结合能随阱宽的变化趋势与束缚极化子的能量移动随阱宽的变化趋势在定性上是一致的,但它门间最重要的区别是阱宽一定时束缚极化子的基态结合能低于其能量移动.这主要由于在阱宽一定时考虑电子—声子相互作用的自由极化子的基态能量低于束缚在阱中的电子的基态能量.
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