中国散裂中子源(CSNS)为基于强流质子加速器的中子散射应用平台,其加速器由H-注入器及快循环质子同步加速器组成。注入器由前端加速器和直线加速器构成,前端由RFQ将束流加速到3MeV,经过中能输运线(MEBT)匹配,注入DTL直线加速器并加速到81MeV。由于直线加速器中束流能量低且峰值流强高,非线性空间电荷效应成为束流发射度增长和束流损失的最主要原因。本论文总结了CSNS的基本结构和束流空间电荷效应的基本理论,完成了束流空间电荷效应模拟程序IMPACT-Z和PARMILA的比较研究；采用IMPACT-Z程序模拟研究了中能束流输运线(MEBT)新旧两种设计方案的空间电荷效应,并在考虑空间电荷效应的情况下研究了聚束腔的径向散焦力对束流的影响,验证了新设计方案优于旧方案；通过模拟分析了漂移管直线加速器(DTL)在不考虑空间电荷相应和流强分别为15mA与30mA情况下束流发射度的增长,结果显示,随着束流强度的增加,发射度增长显著。模拟了束流初始失配对束流发射度增长的影响,分别给出了横向和纵向不同失配因子与束流发射度增长的关系,基于DTL的FFDD聚焦结构,通过对单粒子相空间演化的模拟,分析了不同失配条件下束流发射度增长的原因,结果显示横向失配影响大于纵向失配,应优先考虑横向匹配,给出了在调束中应保证束流的初始失配不超过1.4。误差效应是DTL直线加速器中的重要课题之一,在模拟研究中也考虑了磁场及高频误差,研究了误差效应对发射度增长及束流损失的影响,给出了不同失配情况下的束流损失分布。