论文部分内容阅读
铁电存储器(FeRAM)与传统的EEPROM和FLASH存储器相比具有操作电压低、功耗低、存储密度大、读写时间短等优点,被认为是最具潜力的存储器之一。铋层状钙钛矿结构铁电薄膜抗疲劳性能好,自发极化大、保持性能好以及无铅化学成分,是取代铅基材料成为新的铁电存储器首选材料。制备高性能的薄膜是进行铁电存储器研究设计的基础,本文首先对铋层状钙钛矿结构薄膜制备工艺进行分析,同时对其频率依赖关系进行探索。本文采用化学溶液沉积法(CSD)在Pt/Ti/SiO2/Si基片上沉积制备Bi3.15Nd0.8