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本文通过熔融-快冷-可控结晶工艺制备了同时含有钛酸盐和铌酸盐陶瓷相的BaO-SrO-PbO-TiO2-SiO2-Nb2O5玻璃陶瓷纳米复合材料体系,在该体系的基础上通过调整SiO2、TiO2的含量来优化析出陶瓷相种类和比例,以及添加Al2O3和稀土氧化物进一步改善析出陶瓷相性能,从而期望获得高介电常数、低介电损耗的玻璃陶瓷新体系。通过成分和工艺优化在BaO-SrO-PbO-TiO2-SiO2-Nb2O5玻璃陶瓷体系中同时析出高介电常数的铌酸盐和钛酸盐陶瓷相。在800℃晶化的玻璃陶瓷样品中析出了 3种物相,分别是Pb2Nb2O7相,(Ba,Sr,Pb)Nb2O6相和(Sr,Pb)TiO3相,当结晶温度升高到900℃时,Pb2Nb2O7相完全消失,900℃和1000℃结晶处理后样品内只有(Ba,Sr,Pb)Nb2O6相和(Sr,Pb)TiO3相两相。晶粒在1000℃晶化处理后达到500nm左右。体系中玻璃体SiO2含量的增加使得析晶活化能增加,陶瓷相的析出更加困难,介电常数也随SiO2含量的增加呈逐渐降低的趋势。1000℃晶化处理SiO2摩尔比为16的样品得到了 1070的最大介电常数,同时介电损耗维持在0.0045的较低水平。经过800℃晶化处理的样品中,SiO2摩尔比为20的样品获得了 0.0008的最低介电损耗,同时介电常数维持在430。另外在对体系中TiO2含量的探索中,TiO2摩尔比为10的样品获得峰值介电常数。800℃低温晶化处理后,Al2O3的添加对BaO-SrO-PbO-Ti02-SiO2-Nb2O5玻璃陶瓷体系介电性能均有一定程度的提升,但在900℃以上晶化处理后有低介电常数硅酸盐相析出,造成介电常数急剧下降,介电性能恶化。添加微量稀土氧化物对BaO-SrO-PbO-TiO2-SiO2-Nb2O5玻璃陶瓷体系介电性能有显著影响:添加两种稀土氧化物之后的样品介电常数提升明显。1000℃晶化处理后,添加La2O3的样品介电常数增长了 10.2%,添加Gd2O3的样品介电常数增长了 14.5%。两种稀土氧化物的添加对漏电流密度的影响显著:添加两种稀土氧化物之后漏电流密度大大降低,绝缘性能获得提高,La2O3摩尔比为0.25的样品中漏电流密度相对未添加的样品降低了一个数量级。