大型托卡马克放电过程中,一些磁流体不稳定性引发的破裂将会导致等离子体放电终止。等离子体中大量热能和磁能将在毫秒量级内快速损失,这会对装置造成严重的危害。这些危害主要包括三方面:装置壁和偏滤器靶板的热负荷、真空室壁的电磁应力以及逃逸电流。避免和缓解等离子体破裂期间产生的高通量高能逃逸电子一直是破裂缓解的重要课题。在大量气体注入（Massive Gas Injection,MGI）系统主动触发等离子体破裂的实验中,通过外加共振磁扰动（Resonant Magnetic Perturbation,RMP）抑制逃逸电流的方法已经应用在国内外众多装置上。然而不同尺寸的装置开展的这类逃逸电流抑制的实验研究存在一定的差异,因此深入开展不同参数下逃逸电子抑制物理机制的研究将有助于为逃逸电流抑制提供最优的解决方案。本文基于J-TEXT托卡马克装置的基本物理参数,运用代码NIMROD（Non-Ideal MHD with Rotation-Open Discussion）求解磁流体动力学（Magnetohydrodynamic,MHD）方程中的物理参量,在MGI主动触发等离子体破裂的条件下,提供破裂过程中电场与磁场的时间演化,进而开展外加不同相对相位下多模式磁扰动对逃逸电子输运的数值模拟研究。模拟结果表明,在等离子体放电过程中通过外加扰动场可以促进热猝灭期间磁拓扑结构快速随机化,从而影响逃逸电子的输运过程,达到有效地抑制逃逸电流的目的。在预存磁岛混合模式下,不同相对相位的预存m/n=2/1磁岛与m/n=3/1磁岛对MGI触发破裂过程中的逃逸电子的抑制作用有着明显差异。当2/1磁岛和3/1磁岛O点的环向相位同为330°时（接近MGI注气口环向位置）,可以达到逃逸电子的最佳抑制效果。此外,逃逸电子的损失剩余率与2/1磁岛和3/1磁岛之间的相对环向相位呈现出类正弦的依赖关系。对模拟中的对比算例进行分析,结果表明宏观磁流体不稳定性的演化会造成磁面的随机化,有利于增强逃逸电子的径向输运,导致逃逸电子快速撞壁。因此逃逸电子的损失过程与磁扰动引起的磁面随机化程度密切相关,同时磁扰动的大小也在很大程度上受到杂质气体在等离子体区域内沉积位置的影响,尤其是q=2面以内的杂质。2/1磁岛和3/1磁岛之间的相对相位差会影响杂质的径向输运进程,在很大程度上影响破裂过程中的磁扰动水平。此外,J-TEXT装置的实验结果表明,当2/1磁岛的相位固定时,不同相位的3/1磁岛对逃逸电流呈现出了不同的抑制效果:当3/1磁岛的X点靠近MGI注气口时,逃逸电子抑制不完全;当3/1磁岛的O点靠近MGI注气口时,可以完全抑制逃逸电子的产生。本文证明了在MGI触发等离子体破裂时,2/1和3/1磁岛的相对相位对逃逸电子抑制有着重要影响。因此,在多模式共存的情况下,混合模式的特定相位可以为RMP抑制逃逸电流的方法提供有效思路。