【摘 要】
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近二十多的来,具有低电阻率和优良的高温及化学稳定性的金属硅化物已在大规模集成电路中获得重要应用.而金属锗化物,也由于其高的电子和空穴迁移率,以及优异的欧姆接触性质等
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近二十多的来,具有低电阻率和优良的高温及化学稳定性的金属硅化物已在大规模集成电路中获得重要应用.而金属锗化物,也由于其高的电子和空穴迁移率,以及优异的欧姆接触性质等独特的性质,而获得特殊的应用.离子束技术,包括离子束合成和离子束混合,以其自身技术的优点及合成的硅化物性能优良,并且与VLSI自对准技术相适应,近年来一直受到重视.金属铝及其合金由于其低密度、高的抗氧化性以及极佳的导电性能得到广泛应用,在铝及其合金表面形成一定厚度的硬质铝化物改性层,将增加其表面强度,并大大改善其抗磨损及抗腐蚀性能,从而开拓其应用范围.但是,由于难以获得足够强度的金属离子束,进展一直很小.金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源使德强流金属束获得成为现实,进而使需要 大剂量的半导体改性和金属表面改性的实现成为可能.该论文利用MEVVA源对金属离子注入 单晶硅和单晶锗或金属离子束混合进行了研究,合成了NiSi<,2>、ZrSi<,2>、PdGe、TiGe<,2>,并在金属铝表面合成了强化相Al<,3>Ni、Al<,13>Fe<,4>、和Al<,3>Ti.
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