氮化镓（GaN）材料因其特殊的宽禁带（3.39e V）特性而具有强大的抗击穿能力、高电子迁移率、适应较高的温度环境等方面的优势。因此它在蓝光LED、节能照明灯、射频器件、功率放大器等领域得到广泛应用。通过化学机械抛光（CMP）对Ga N晶片进行全局平坦化,可以得到光滑的晶体表面,用于制造高性能Ga N器件。但由于Ga N材料硬度较高,且化学活性较低,因此如何提高其抛光速率一直是一个研究热点。本文通过电化学实验研究了紫外光、催化剂以及溶液pH对Ga N腐蚀能力的影响。实验结果表明,在只含有3vol.%H₂O₂溶液中加入紫外光及催化剂,腐蚀电位从-0.010V降低到-0.224V。在含有K₂S₂O₈氧化剂的溶液中也表现出了相似的规律。这说明光催化氧化技术能够明显提升溶液对Ga N的腐蚀能力。固定氧化剂的浓度,在溶液中分别加入Ti O₂、Zr O₂、Zn O三种催化剂,结合紫外光进行电化学实验。实验结果表明:在电化学实验中Zn O的催化作用最强,其次为Zr O₂。固定氧化剂H₂O₂的浓度为3vol.%,Zr O₂催化剂的浓度为0.05wt%,使用KOH调节液体溶液的p H值分别为9、10、11、12。结果显示,随着p H值的增大,溶液对Ga N晶片的腐蚀能力先是由弱变强,大于10以后又逐渐变弱。在含有K₂S₂O₈氧化剂的溶液中也表现出了相似的规律。然后根据电化学研究结果,设计化学机械抛光实验。CMP研究结果表明,Zr O₂催化剂能够有效提高抛光速率。含有3vol.%H₂O₂、0.05wt%Zr O₂的二氧化硅抛光液（p H=9）Ga N抛光速率达342.4nm/h。含有0.15M K₂S₂O₈、0.05wt%Zr O₂的抛光液（p H=10）Ga N抛光速率可达487.9nm/h。使用原子力显微镜（AFM）对抛光后的Ga N表面进行测量。当氧化剂为H₂O₂时,使用Zn O催化剂,Ga N表面粗糙度Rq为1.66nm;使用Zr O₂催化剂,Rq为4.24nm。当氧化剂为K₂S₂O₈时,使用Zn O催化剂,Ga N表面粗糙度Rq为2.41nm;使用Zr O₂催化剂,Rq为4.85nm。相同条件下含有K₂S₂O₈氧化剂的抛光液对Ga N抛光速率更高,但是Ga N晶片表面粗糙度有所增加。最后使用X射线光电子能谱仪（XPS）分析了抛光后的Ga N表面特性。