【摘 要】
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制备氧化物半导体纳米结构的方法多样,包括阳极氧化法、溶胶凝胶法、水热法、磁控溅射等。静电纺丝技术作为一种易于操作、成本较低的制备方法,已被广泛应用在气敏、光电探测等方向。金属氧化物具有优良的物理、化学性能,制备具有可控的形状和尺寸的宽禁带氧化物纳米材料一直是研究的热点。其中,二氧化锡（SnO2）在气体探测及光学领域有着极大的研究前景。SnO2对气体有良好的选择性,并且在气体探测方面已经得到了广泛的
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制备氧化物半导体纳米结构的方法多样,包括阳极氧化法、溶胶凝胶法、水热法、磁控溅射等。静电纺丝技术作为一种易于操作、成本较低的制备方法,已被广泛应用在气敏、光电探测等方向。金属氧化物具有优良的物理、化学性能,制备具有可控的形状和尺寸的宽禁带氧化物纳米材料一直是研究的热点。其中,二氧化锡（SnO2）在气体探测及光学领域有着极大的研究前景。SnO2对气体有良好的选择性,并且在气体探测方面已经得到了广泛的研究。另外,作为一种优秀的宽带隙透明导电材料,在光电领域也具有极大的潜力,但是由于其光生载流子的复合速率快和过宽的带隙,导致SnO2在光探测器方面的应用较少。因此利用掺杂、复合等手段抑制载流子的复合速率,减小带隙,对于SnO2光电特性的提高至关重要。本文利用静电纺丝法制备SnO2纳米纤维/p-Si异质结,研究其气体敏感性;研究SnO2纳米纤维/p-Si异质结及Ag掺杂后的SnO2纳米纤维/p-Si异质结的光响应特性;设计不同电极结构,研究电极结构对Ag掺杂的SnO2纳米纤维/p-Si异质结光响应特性的影响。结果表明,制备的SnO2纳米纤维/p-Si异质结对C2H5OH具有良好的选择性,上下电极结构的Ag掺杂的SnO2纳米纤维/p-Si异质结光响应特性最佳。最后利用半导体能带理论,揭示异质结气敏和光响应特性的微观物理机制。
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