由于紫外波段激光器在信息显示和信息存储特别是在海底探测,紫外通讯和光存储,医疗和诊断,防伪和检测,分析仪器等方面都有十分重要的应用,是一项具有重要应用前景的基础研究。氧化锌作为一种宽带隙半导体(3.3eV),激子束缚能大(60meV),在室温下容易获得强的激子发射,而且可能成为紫外激光的重要材料。因此,对氧化锌的研究已成为继GaN之后宽带隙半导体研究的又一热点。为了获得高质量的氧化锌薄膜材料,人们已采用分子束外延,有机化学汽相沉积,脉冲激光沉积,磁控溅射等各种技术来制备氧化锌薄膜材料。尽管,自从2004年日本、中国和美国的科学家先后获得了ZnO半导体二极管的电致发光,然而,由于缺少质量更高的n型和更稳定的p型ZnO薄膜,ZnO基的半导体激光器,还很难实现。本论文针对这些困难开展了以下方面的研究:1.研究了由P-MBE制备的未掺杂的ZnO薄膜,通过测试霍尔效应发现在650℃生长温度下有最好的电学特性;同时,研究了N掺杂的ZnO薄膜,发现在低温与富锌条件下生长,出现了类金属导电。2.讨论了p型ZnO薄膜的不稳定性。发现当p型ZnO薄膜被光子能量大于2.76eV的蓝光辐照后,转变成n型,我们初步认为是由于深能级缺陷中的电子被激发导致的。3.在p型ZnO薄膜制备了金电极,铟电极和镍/金合金电极,对比不同的退火条件,发现镍/金合金电极具有较好的欧姆接触。