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BaTiO_3(BTO)基薄膜是目前电子功能材料领域倍受关注的一类新材料。其中,Ba(Zr_xTi_(1-x))O_3(BZT)为Zr部分取代BTO中的Ti而形成的一种BTO基钙钛矿材料,Zr~(4+)比Ti~(4+)的化学稳定性好,且Zr~(4+)取代Ti~(4+)之后将会抑制Ti~(4+)与Ti~(3+)之间的电子跃迁,减小薄膜的漏电流。BZT薄膜在具有较高的介电性可调的同时可以保持低的介电损耗,这使其在微波可调器件方面的应用得到了广泛研究。本论文选择介电性能较好的Zr-Ti比为0.2/0.8的