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【摘 要】
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近年来，随着GaN基低维量子结构外延技术的不断进步，AlGaN/GaN多量子阱结构子带间跃迁(ISBT)材料与光电器件逐渐成为Ⅲ族氮化物半导体领域的前沿研究方向之一。由于AlGaN/GaN多
【机 构】
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北京大学
【出 处】
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北京大学
【发表日期】
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2013年期
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