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【摘 要】
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双频容性耦合等离子体源（DF-CCP）是最近几年发展起来的一种新型的等离子体源,它通过采用一个高频源和一个低频源来共同激发等离子体,可以实现等离子体密度和离子能量的单独控制,能够获得很好的刻蚀速率和均匀性。DF-CCP可以产生大面积较均匀的高密度等离子体,其实验装置结构简单,操作容易,符合半导体工业生产的需求,因此这种等离子体源得到了广泛的应用。在介质刻蚀方面,它目前正逐步取代其它效率较低的等离子
【机 构】
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大连理工大学
【出 处】
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大连理工大学
【发表日期】
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2011年01期
【基金项目】
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高等学校博士学科点专项科研;国家自然科学;；
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