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该论文旨在制作一种由Si和SiO<,2>介质膜形成的具有平顶响应特性的全介质滤波器.提出了一种台阶型FP腔结构的平顶滤波器实现方法.根据该方法,滤波器的共振腔分成具有不同厚度的两个部分,并且两个部分的光照射面积相等.由于共振腔两个部分具有不同光学厚度,光束在两个部分中经过的光程不同,被选择通过的光波长不同.适当地设计台阶型FP腔的两个部分的厚度差,则选择通过的两个透射峰的叠加将具有平顶特性.提出了一种台阶型FP腔结构的窄带平顶滤波器实现方法.根据该方法,利用台阶型FP腔结构,并把FP腔的厚度做成几十微米量级可以同时实现窄通带和平顶.制作了一种由Si和SiO<,2>介质膜形成的双半波全介质FP滤波器,发现实现测量的透射强度谱出现双峰不对称性.通过大量模拟,确定这种双峰不对称性是由于两个FP腔的厚度并非完全相等(厚度差大于1nm)引起的,并根据该结果判定利用双腔结构实现平顶滤波器不是一种理想的方法.制作了一种由Si和SiO<,2>介质膜形成的、具有台阶型FP腔结构的热光调谐平顶滤波器,该器件主要用PECVD、湿法腐蚀、带胶剥离、干法刻蚀等工艺制作完成.该器件的平顶特性测量结果显示,其透射强度谱具有很好的平顶性能,平顶宽度大约为15nm,3dB带宽大约为94nm,与用传输矩阵方法的模拟结果基本一致.该器件的调谐特性测量结果显示,随着外加的电压增大,出现透射峰红移现象和透射峰强度减弱现象,并且发现透射峰强度减弱要比透射峰红移的效果强,在大约360mW外加电功率下,透射峰大约红移了3nm.制作了一种由Si和SiO<,2>介质膜形成的、具有台阶型FP腔结构的热光调谐窄带平顶滤波器,该器件主要用PECVD、硅基键合、湿法腐蚀、带胶剥离、干法刻蚀等工艺制作完成.该器件的平顶特性测量结果显示,其透射强度谱具有很好的平顶特性,平顶宽度大约为2nm,3dB带宽大约为4.4nm,自由谱宽大约为8.5nm,精细常数大约为2,与用传输矩阵方法的模拟结果基本符合.该器件的调谐特性测量结果显示,随着外加电压增大,出现透射峰红移现象和透射峰强度减弱现象,并且发现透射峰强度减弱要比透射峰强度减弱要比透射峰红移的效果强.当外加电压为25V时,共振峰移动了大约1.2纳米;当外加电压为45V时,共振峰移动了大约3.3nm;当外加电压进一步增大时,共振峰进一步向右移动.基于该文提出的台阶型FP腔结构制作的滤波器工艺简单,平顶性能优越,容易与其他有源和无源光子器件集成,有着较高的工作可靠性,因而更利于走向商用化.