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【摘 要】
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GaN基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料由于其独特的特性，在材料生长和光电器件的研究中引起了广泛关注。其主要优点是禁带宽度大、耐高温、耐酸碱、抗辐射、电子饱和速度高、漂移速度
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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中国科学院半导体研究所
【发表日期】
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2007年期
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