热蒸发法相关论文
硒化钨（WSe2）是过渡金属硫族化物（TMDCs）的重要成员,具有类似的层状结构。WSe2容易被剥离为单层的二维晶体,其能带结构会由体材料时的......
为了适应未来红外焦平面探测器系统小型化、集成化和高精度的发展要求，采用了热蒸发方法分别在InP衬底和InGaAs探测器上实现了中心......
本论文使用简单易行的热蒸发法、利用自行组装的实验装置,较系统地研究了金属氧化物In2O3、SnO2、Bi2O3纳米线及掺锡氧化铟纳米线......
近二十年来,材料制备技术发展迅速,尤其在纳米科学技术领域,开创了材料制备的新世界。据预测人类的第四次工业革命有可能在纳米技......
测量了Cu-H2O纳米复合相变蓄冷材料的黏度,研究了纳米颗粒质量分数、温度、纳米颗粒粒径及颗粒团聚对纳米复合材料黏度的影响。结......
期刊
采用热蒸发法在Si片上沉积稀土元素Er掺杂的WSe2薄膜,研究了Er3+掺杂对WSe2薄膜表面形貌、晶体结构、光致发光光谱、光吸收特性和......
TeO2作为一种宽带隙金属氧化物半导体材料(Eg=4.05eV,at 300K),具有优异的光电、热电及催化等特性,因而在红外遥感、太阳能电池、......
随着纳米材料技术的发展,各种各样的纳米结构材料被制备出来。目前,研究的热点已经转向人工组装纳米材料及设计相关的纳米器件。而......
本论文采用热蒸发法成功制备出了ZnO/CuO量子点纳米带异质结、ZnO量子点/SnO2纳米带异质结材料。我们借助扫描电镜(SEM)、X射线衍......
由于半导体氧化物在光学、光电、催化、压电等领域独特而新颖的应用,半导体氧化物的合成和应用引起了人们的极大关注。2001年王中......
低维纳米结构是当前纳米科学与技术领域一个重要的研究方向。自从1991年纳米碳管被日本NEC公司的Iijima教授发现后,已经对低维维纳......
低维纳米结构是当前纳米科学与技术领域一个重要的研究方向。纳米ZnO材料由于其在电予学、光学和光子学等领域的优异性能而倍受关......
一维纳米结构材料在基础科学研究和潜在的技术应用方面都非常重要，探索和发展有效合成这些一维纳米结构材料的方法是纳米材料科学研......
近10多年来，以碳纳米管为代表的准一维纳米新材料因其特殊的一维纳米结构(纳米管、纳米线、纳米同轴电缆、纳米带等)，呈现出一系列优......
准一维纳米材料,包括纳米线、纳米棒、纳米针、纳米带、纳米同轴电缆和纳米管等,近年来引起了极大的研究热潮。在这些材料中,氧化......
氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙化合物半导体材料，其室温禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，其激子能够在室温及以上温度下稳定存......
准一维纳米材料以其独特的电学、光学和力学特性引起了科学家们的研究兴趣。本博士论文首先综述了准一维纳米材料的研究进展，并介绍......
在工业和实验室领域,随着MoSi_2材料应用和研究的不断扩展和深入,产生了大量MoSi_2废料。MoSi_2中的Mo是一种战略性稀有金属,在钢......
伴随社会的进步和科技的发展，以半导体纳米结构研究作为焦点的低维纳米材料的研究变成了一个热点问题,半导体材料受量子尺寸效应、......
随着石墨烯的发现以及迅速发展,类石墨烯材料逐渐被越来越多的人研究和关注。其中过渡金属二硫化物以其可调带隙结构以及优异的光......
氧化锌(ZnO)是一种直接宽带隙半导体材料，其室温禁带宽度为3.37eV，激子束缚能为60meV，远高于其它半导体材料。ZnO是目前所有材料中纳......
近年来,由于宽禁带半导体材料在短波长发光器件、光探测器和大功率电子器件方面的广阔应用前景而备受关注,发展十分迅速,成为研究......
在石油、煤炭等传统能源消耗量日益增长的今天,具有可再生和清洁无污染等优点的太阳能电池越来越受到人们的重视。目前,太阳能电池......
ZnO作为直接带隙半导体材料，其禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能为60 meV，在蓝紫光发光二极管（LEDs）、激光器（LDs）、光电探测器等短波长光电......
由于准-维纳米结构有很大的比表面积,表面效应对其自身的电学、机械以及化学特性产生很大的影响,有研究发现由于表面吸附效应,碳纳......
有机-金属卤化物钙钛矿以其高吸光系数、长的载流子迁移距离等优良的光电性能,在光伏、光电探测器、激光等光电子器件领域得到了广......
学位
纳米科学技术的不断进步有力地推动了微纳器件向小型化、智能化和高度集成化的方向发展，因其表现出潜在的应用价值，纳米材料和技术受......
宽禁带半导体ZnO成为当前世界性的热点课题，因为在常温下具有大的带隙(3.37eV)和激子束缚能(60meV)、高的电声耦合系数，以及在极端条......
本文采用热蒸发法,以ZnS粉末为基本源材料制备了ZnS及其Sn掺杂一维纳米结构,通过Zn和S粉末反应制备了分支状ZnS及其Sn掺杂微纳米结......
采用激光分子束外延法先在Si(111)衬底上制备Zn薄膜,在不同的氧气体积流量和生长温度下,用热蒸发法在镀有Zn薄膜的Si(111)衬底上制......
利用磁控溅射在ITO电极上沉积氧化锌薄膜,以氧化锌薄膜为种子层,采用热蒸发法合成ZnO一维纳米材料,利用XRD和SEM方法对氧化锌一维......
采用热蒸发法制备CdS∶Y~（3＋）纳米带.利用扫描电子显微镜（SEM）、X射线衍射仪（XRD）对纳米带的形貌、晶体结构进行表征;利用荧光光谱仪（PL）对......
采用热蒸发法制备了类金刚石碳纳米线,利用透射电子显微镜(TEM)和高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)对样品的形貌和结构进行观察,发现......
采用热蒸发法制备SnO2／CNTs复合材料，在不同工艺条件下制备了SnO2/CNTs复合材料，对影响SnO2/CNTs复合材料的生长条件，主要是温度和环境......
采用物理热蒸发锌(Zn)粉与三氧化二镓(Ga2O3)粉的方法,制备出不同形貌的Ga掺杂纳米ZnO。利用XRD、SEM、TEM对产物的结构和形貌进行......
硅纳米线作为一种新型的一维纳米材料，在纳米电子器件、光电器件及集成电路方面具有很好的应用前景。介绍了硅纳米线在制备方面的国......
采用热蒸发法制备氧化锡薄膜，结合相关理论制定了一系列实验。在不同的工艺条件下制备了氧化锡薄膜，研究了温度、基片距离和环境压力......
采用物理热蒸发ZnS粉的方法,制备出了大规模的线状和棒状ZnO纳米结构。借助扫描电子显微镜、透射电子显微镜、激光拉曼光谱仪以及......
探索了不同的生长时间、生长温度、气体和水分条件对采用热蒸发法生长CuO纳米线在成型、长度、致密度和直径等方面的影响。简单分......
用热蒸发技术在ITO玻璃基片上沉积SnS薄膜.通过对该薄膜进行结构、成分和表面形貌分析,表明它是具有正交结构的SnS多晶薄膜;相对于......
在水热条件下,以高锰酸钾（KMnO4）为原料,以聚乙二醇400为还原剂,改变反应时间及温度,制备多枝状MnOOH晶体,考察工艺条件对MnOOH晶体......
通过真空热蒸发法制备了N,N′-二苯基-N,N′-（1-萘基）-1,1′-联苯-4,4′-二胺（N,N′-Di-[（1-naphthalenyl）-N,N′-diphenyl]-1,1′-biph......
用物理热蒸发法在不同环境压力下制备硅纳米线和硅微米晶须.借助扫描电子显微镜、X射线能谱分析和透射电子显微镜对不同环境压力下......
以碲粉和镍片作为反应物采用热蒸发法制备了镍碲化合物(NiTex)薄膜。通过改变反应时间获得了不同化学计量比的NiTex薄膜,通过X射线......
