Ga掺杂相关论文
M-Nb-O负极材料由于其高安全性、高理论容量和优异的循环性能在锂离子电池中得到了广泛的研究。在众多M-Nb-O材料中,FeNb11O29材料......
薄膜晶体管（TFT）是下一代平板显示器（FPD）的关键部件。与传统的硅基半导体材料相比,以In2O3基（如InGaZnO（IGZO））为代表的透明金属氧化物半......
尖晶石型氧化物ZnAl_2O_4具有良好物理化学性质,并且具有良好的力学性能、较宽的活性温度范围,在透光导电材料、陶瓷、催化剂、催......
作为第三代半导体材料,ZnO是一种直接宽带隙半导体,室温禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,因此在半导体光电器件中具有巨大......
MgxZn1-xO三元合金材料可以通过调节材料中Mg组分大小实现带隙从3.37eV-7.8 eV可调,同时由于其具备匹配的单晶衬底（ZnO和MgO）,以及其......
半导体化合物CuInSe2是铜铟硒薄膜太阳能电池吸收层的基本材料,通过对CuInSe2材料的掺杂,可以有效的提高CIS太阳能电池的转换效率,......
采用密度泛函理论广义梯度近似第一性原理计算的方法研究了n型Ga掺杂的纤锌矿结构氧化物ZnO的晶格结构、能带结构和态密度，在此基础......
通过金属有机物化学气相沉积法制备了不同Mg组分的MgxZn1-xO：Ga(x=0,0.03,0.14)薄膜。透射谱中Mgx Zn1-x O：Ga薄膜的光学带隙随x增大......
