C/SiC复合材料表面高温瞬态温度传感器的研究

来源 :大连交通大学 | 被引量 : 1次 | 上传用户:xjtu_kendy
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科学技术的进步推动着航空发动机性能的提升,经过几十年的发展,作为影响推重比和推力大小的重要因素之一的涡轮前温度从早期的1600K到现在超过2000K。C/SiC复合材料等具有耐高温、低密度和高强度的新型材料开始广泛应用于热端部件的制造。虽然C/SiC复合材料性能优异,长时间处于高温环境和不断经历热循环也会导致性能下降,因此准确测量热端部件表面实时温度从而对部件的寿命做出准确的预估和验证冷却设计效果就变的尤为重要。C/SiC复合材料为碳纤维经纬编织,致密化工艺为聚碳硅烷浸渍裂解,表面较为粗糙,不满足直流脉冲磁控溅射制备薄膜对表面连续平整性的要求,针对上述难题本文提出了一种直流脉冲磁控溅射与电化学沉积相结合在C/SiC复合材料表面制备复合过渡层的工艺。由于C/SiC复合材料上下表面间电学性能较差,采用直流脉冲磁控溅射在C/SiC复合材料表面溅射制备NiCr导电层,对比分析不同厚度的导电层在电化学沉积时的速率和镀层性能;研究抛光后的Ni-Cr-Zr02复合过渡层表面质量及C/SiC复合材料与过渡层间的结合强度。采用直流脉冲磁控溅射的方法在沉积了 Ni-Cr-ZrO2复合过渡层的C/SiC复合材料表面依次制备SiO2绝缘薄膜、NiCr/NiSi薄膜和SiO2保护薄膜。对SiO2绝缘薄膜绝缘性能进行研究,结果表明采用周期运动式载物台制备的绝缘薄膜具有优异的绝缘性能,电阻达109Ω量级。对制备的NiCr/NiSi薄膜的SEM和EDS分析表明薄膜表面平整致密,元素成份比例接近靶材。对研制的高温瞬态温度传感器进行静态和动态标定。以FLUKE9144作为稳定热源对温度传感器静态标定,塞贝克系数为42.1μV/℃,非线性误差为1.52%,线性度良好。从理论和实验角度研究测试了温度传感器的动态性能,理论计算出的时间常数为39.35μs,实验测试出的时间常数为97.01μs,响应时间处于同一量级。在200℃、400℃和600℃的恒定温度场中试验温度传感器的测温性能,能满足最高600℃环境中的温度测试需求。
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