对于在恶劣环境中运行的电子设备,要求具有高可靠性的多层陶瓷电容器（MLCC）,例如,用于航空航天或石油钻井系统中控制和传感系统的电子设备需要在200oC以上,甚至高于400oC的温度下运行。应用于200oC及以上的铁电体电介质陶瓷尽管在室温下具有较大的介电常数,但当温度升高至居里温度以上后,材料电导及介电驰豫引起的大量能量损耗,使得电介质的介电常数及耐压强度剧烈降低。与铁电体材料不同,线性电介质的介电常数与外电场无关,其能量储存密度（U）正比于介电常数（ε_r）及耐压强度（E_b）的平方。所以,虽然线性电介质通常具有相对较低的介电常数,但它们可以在较宽的温度范围内保持稳定和优异的介电性能、耐压强度和储能效率,并且广泛应用于高温稳定的MLCC中。本论文研究了(Al³⁺,Nb⁵⁺)共掺CaTiSiO₅基陶瓷的制备及性能,并尝试将其用于多层陶瓷电容器中,主要研究内容与成果如下:通过固相反应法制备了不同共掺量的榍石结构CaTi_1-x(Al_0.5Nb_0.5)_xSiO₅（CTANSx）陶瓷。Al³⁺和Nb⁵⁺取代部分Ti⁴⁺,离子半径的不同使晶体结构发生扭转,产生晶格畸变,破坏了CaTiSiO₅中氧八面体链Ti原子位移偏心的相干性,抑制了顺电相向反铁电相的转变,从室温到350oC,CTANSx（x≥0.03）陶瓷具有稳定的顺电CaTiSiO₅相（空间群A2/a）。在室温下,CTANS_0.03陶瓷的介电常数ε_r=53,介电损耗tan?<0.001,绝缘电阻9×10¹³Ω·cm,耐压强度>1000 kV/cm,理论储能密度为2.65 J/cm³,储能效率为96%。CTANS_0.03储能陶瓷电介质材料具有良好的温度稳定性:室温-300oC范围介电常数保持稳定,300oC下绝缘电阻1×10¹¹Ω·cm、电容温度系数-29ppm/oC,180oC时储能效率仍能达到89%。将CaTi_0.97(Al_0.5Nb_0.5)_0.03SiO₅粉体,通过流延、打孔、印刷、叠片、切割等步骤制备多层陶瓷电容器。对贵金属内电极的MLCC的介电性能、耐压性能等进行进一步探索,初步获得室温至300oC应用于100kHz频率下的具有良好稳定性的MLCC,室温下耐电压达4130 V。制备了以Ni为内电极的MLCCs,探究了退火、掺杂少量MnO₂对材料抗还原性的影响,为贱金属内电极的多层陶瓷电容器的制备打下良好的基础。