基于柔性衬底的ZnO薄膜阻变特性研究

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【摘要】

：

虽然Flash技术在当今半导体存储领域仍然占有很大市场,但是由于Flash技术高的操作电压(5V以上)、低的操作速度以及低的存储密度等缺点,使其无法满足未来使用要求而作为下一代存储器使用。目前,有基于不同原理的多种存储器被认为是可以取代Flash技术且可以满足未来对存储器的使用要求。在这些存储器中,铁电存储器、相变存储器、磁存储器和阻变存储器因其自身的存储优点被认为最有潜力成为下一代非挥发性存储器

【作者】

：

房丽彬

【机构】

：

电子科技大学

【发表日期】

：

2016年01期

【关键词】

：

阻变存储器脉冲激光沉积 Cu掺杂ZnO薄膜

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