利用磁控溅射和溶胶-凝胶法制备ZnO-TFT及相关因素的研究

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【摘要】

：

本论文首先用磁控溅射制备了ZnO薄膜,并用该薄膜制备了ZnO-TFT,为了提升器件的性能,论文从退火温度和薄膜厚度等方面对ZnO-TFT进行了研究。最后用溶胶凝胶法制备了ZnO-TFT,比较了溶胶凝胶法与磁控溅射制备工艺的优缺点。(1)我们首先研究了不同退火温度对器件性能的影响。实验中用磁控溅射制备了ZnO薄膜,首先对ZnO薄膜经过300℃、400℃和500℃退火,不同的薄膜经过XRD和AFM表征

【作者】

：

叶鑫

【机构】

：

北京交通大学

【发表日期】

：

2011年01期

【关键词】

：

ZnO薄膜 ZnO-TFT 磁控溅射溶胶凝胶法迁移率开关比阈值电压

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