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采用射频等离子体增强化学气相沉积法（RF-PECVD）,在玻璃和硅衬底上以230—310Pa之间的沉积气压生长微晶硅（μc-Si：H）薄膜。利用拉曼光谱和红外光谱分析样品的微结构。结果发现样品的微结构强烈依赖于沉积气压,并且存在着最佳沉积气压250Pa,在此条件下的微晶硅薄膜晶化率为60.6%,氢含量为最小值9.1%。