场发射阵列发射性能下降机制分析

来源 :微细加工技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：fenglilong_liumang

【摘要】

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场发射阵列(FEA)发射性能的下降是场发射显示(FED)研究中普遍遇到的一个问题,研究FEA发射性能下降的机制对于推进FED进展具有重要意义.阴极氧化、溅射损伤和离子注入是目前提

【作者】

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袁璟杜秉初李德杰

【机构】

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清华大学电子工程系

【出处】

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微细加工技术

【发表日期】

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2002年3期

【关键词】

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扬发射阵列场发射显示离子注入离子溅射阴极氧化 FEA FEA oxidation sputtering ion implantation

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场发射阵列(FEA)发射性能的下降是场发射显示(FED)研究中普遍遇到的一个问题,研究FEA发射性能下降的机制对于推进FED进展具有重要意义.阴极氧化、溅射损伤和离子注入是目前提出的三种解释.对这三种解释进行了进一步的分析和讨论,认为目前的实验工作还不足以充分说明哪种机制在FEA发射性能下降中占据主导地位,并提出了进一步的实验研究的方向和内容.

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