【摘 要】
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利用直流反应磁控溅射法在Si3N4陶瓷基体上制备了TiN导电薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子能谱(EDS)对薄膜的物相组成以及表面形貌进行分析,表明TiN薄膜均匀
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利用直流反应磁控溅射法在Si3N4陶瓷基体上制备了TiN导电薄膜。采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和电子能谱(EDS)对薄膜的物相组成以及表面形貌进行分析,表明TiN薄膜均匀,且与基体有较强的附着力。采用SZ82型四探针测试仪对薄膜进行了方阻随厚度变化的分析,表明薄膜的厚度对薄膜的电性能有很大的影响。
TiN conductive films were prepared on Si3N4 ceramic substrates by DC reactive magnetron sputtering. The phase composition and surface morphology of the films were characterized by X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and electron spectroscopy (EDS). The results show that the TiN films are uniform and have good adhesion with the matrix. The square resistance as a function of thickness was analyzed by SZ82 four-probe tester, which showed that the thickness of the film had a great influence on the electrical properties of the film.
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