凹槽栅场板结构的AlGaNGaN HEMT特性分析

来源 :第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lnld123
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本文对比了研制的(a)无场调制板结构,(b)有场调制板结构但无凹槽栅,(c)结合场调制板结构和凹槽栅工艺三种AlGaN/GaNHEMT的动态I-V特性和微波特性,认为场调制板结构和凹槽栅工艺可以有效改善AlGaN/GaN HEMT器件沟道内电场分布,显著减小电流崩塌现象,提高器件的微波输出功率特性.利用此技术研制的1mm栅宽AlGaN/GaN HEMT输出功率大于10W.
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